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场效应MOS管FQD3P50参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:-2.1AV(BR)DSS漏源击穿电压:-500VRDS(ON)Ω内阻:4.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:-1.05AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQD3P50是一种功率场效应晶体管(MOSFET),具有广泛的应用场景和特定的参数特点。让我们来详细探讨一下:

    一、应用场景:

    1. 通信设备:在通信设备中,FQD3P50可用于功率放大和开关控制,确保信号的稳定传输和高效处理。

    2. 电源管理系统:在电源开关和电源调节器中,FQD3P50能够有效地控制电流和电压,提高系统效率。

    3. 电动车辆:FQD3P50可用于电机驱动器,在电动车辆的控制系统中实现高效的能量转换和精确的控制。

    4. 工业自动化:在工业自动化领域,FQD3P50可用于控制各种类型的执行器,实现自动化生产和工艺控制。

    5. 太阳能系统:在太阳能电池板的电路中,FQD3P50可用作功率调节器,确保电能的高效转换和稳定输出。

    二、参数特点:

    1. 高功率处理能力:FQD3P50具有较高的功率处理能力,能够承受较大的电流和电压,适用于高功率应用场景。

    2. 低导通电阻:其低导通电阻能有效降低功率损耗和温升,提高系统效率和稳定性。

    3. 快速开关特性:FQD3P50具有快速的开关特性,能够实现快速的开关转换,降低开关损耗,提高系统响应速度。

    4. 低阈值电压:其低阈值电压使得FQD3P50能够在低电压条件下工作,适用于各种低电压电路设计。

    5. 可靠性和稳定性:FQD3P50采用高质量的材料和工艺制造,具有良好的可靠性和稳定性,适用于长期稳定运行的应用场景。

    综上所述,FQD3P50作为一款功率MOSFET,具有广泛的应用领域和优越的参数特点,能够满足各种功率电子设备的需求,并在电源管理、工业控制、能源转换等领域发挥重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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