PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:-2.1AV(BR)DSS漏源击穿电压:-500VRDS(ON)Ω内阻:4.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:-1.05AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 通信设备:在通信设备中,FQD3P50可用于功率放大和开关控制,确保信号的稳定传输和高效处理。
2. 电源管理系统:在电源开关和电源调节器中,FQD3P50能够有效地控制电流和电压,提高系统效率。
3. 电动车辆:FQD3P50可用于电机驱动器,在电动车辆的控制系统中实现高效的能量转换和精确的控制。
4. 工业自动化:在工业自动化领域,FQD3P50可用于控制各种类型的执行器,实现自动化生产和工艺控制。
5. 太阳能系统:在太阳能电池板的电路中,FQD3P50可用作功率调节器,确保电能的高效转换和稳定输出。
二、参数特点:
1. 高功率处理能力:FQD3P50具有较高的功率处理能力,能够承受较大的电流和电压,适用于高功率应用场景。
2. 低导通电阻:其低导通电阻能有效降低功率损耗和温升,提高系统效率和稳定性。
3. 快速开关特性:FQD3P50具有快速的开关特性,能够实现快速的开关转换,降低开关损耗,提高系统响应速度。
4. 低阈值电压:其低阈值电压使得FQD3P50能够在低电压条件下工作,适用于各种低电压电路设计。
5. 可靠性和稳定性:FQD3P50采用高质量的材料和工艺制造,具有良好的可靠性和稳定性,适用于长期稳定运行的应用场景。
综上所述,FQD3P50作为一款功率MOSFET,具有广泛的应用领域和优越的参数特点,能够满足各种功率电子设备的需求,并在电源管理、工业控制、能源转换等领域发挥重要作用。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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