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场效应MOS管FQD3N60C参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:2.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:3.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQD3N60C是一种常见的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),其在各种电子应用中具有广泛的应用。本文将详细介绍FQD3N60C的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQD3N60C在开关电源中被广泛应用,主要用于提升效率和减少开关损耗。其快速的开关速度和低导通电阻使其成为理想的选择,可以在高频操作下提供稳定的性能。

    2. 电动机驱动:在电动机驱动电路中,FQD3N60C因其高电压和电流承载能力被用于控制电动机的开关。其耐高压能力确保在电动机启动和运行过程中能够承受瞬时高电压。

    3. 逆变器:FQD3N60C在逆变器中也有广泛的应用,特别是在太阳能逆变器和风能逆变器中。其高效能和可靠性使其能够在不同环境下稳定工作,为可再生能源的转换提供支持。

    4. 照明电路:在照明电路中,FQD3N60C常被用于LED驱动电路。其高效能和低功耗特性能够延长LED灯具的使用寿命,同时提供稳定的电流输出。

    5. 电池管理系统:FQD3N60C也用于电池管理系统,特别是电动汽车和储能系统中。其高效的开关性能和耐高压特性帮助管理电池的充放电过程,提高系统的安全性和效率。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:FQD3N60C具有600V的耐压能力,能够承受高电压环境下的操作。这使其在需要高压驱动的应用中表现出色,如开关电源和逆变器。

    - 导通电阻:FQD3N60C的导通电阻非常低,仅为3.2欧姆,这有助于降低功耗和提升效率。在高电流应用中,低导通电阻能够减少热量的产生,提升整体性能。

    - 开关速度:FQD3N60C的开关速度非常快,典型的开关时间在几十纳秒级别。快速的开关速度使其在高频操作中能够高效工作,减少开关损耗。

    - 电流承载能力:FQD3N60C能够承载高达3A的电流,这对于大多数中功率应用来说已经足够。这种高电流承载能力确保其在各种应用中的可靠性和稳定性。

    - 热阻特性:FQD3N60C的热阻较低,能够更有效地散热。良好的热管理能力使其在高功率应用中能够长时间稳定工作,减少过热风险。

    综上所述,FQD3N60C在各类电子应用中具有广泛的应用场景,其卓越的参数特点使其在提升效率和可靠性方面表现突出。无论是在开关电源、电动机驱动、逆变器、照明电路还是电池管理系统中,FQD3N60C都展示出了其强大的性能和应用价值。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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