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场效应MOS管FQD3N50C参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:2.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:2.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQD3N50C是一种常用的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),在各种应用场景中都有着广泛的使用。本文将详细介绍FQD3N50C的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQD3N50C在开关电源(SMPS)中起着关键作用。这些电源广泛用于计算机、电信设备和消费电子产品。由于其高效的开关特性,FQD3N50C可以有效降低功耗并提高系统效率。

    2. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,FQD3N50C被用于驱动电机、控制阀门和管理其他高功率设备。其高耐压和高可靠性使其在工业环境中表现优异,能够应对各种苛刻的使用条件。

    3. 照明系统:FQD3N50C也被广泛应用于LED驱动电路中。LED照明系统需要高效的功率转换器来提供稳定的电流和电压,FQD3N50C的低导通电阻和快速开关速度正好满足了这一需求。

    4. 汽车电子:在现代汽车中,FQD3N50C被用于多种电子控制单元(ECU)中,如电动窗控制、电动座椅调节等。其高效能和稳定性使其成为汽车电子系统中的理想选择。

    5. 逆变器和太阳能系统:在光伏系统和逆变器应用中,FQD3N50C扮演着至关重要的角色。其高效的开关能力和高电压耐受性使其能够处理大功率转换,保证系统的高效运行。

    二、参数特点:

    - 高耐压:FQD3N50C的漏源电压(Vds)高达500V,这使其在高电压应用中具有显著优势。高耐压特性确保了在高电压操作条件下的稳定性和安全性。

    - 低导通电阻:FQD3N50C具有较低的导通电阻(Rds(on)),通常在2.2欧姆左右。这种低导通电阻能够降低导通损耗,提高整体效率,尤其在需要高效能的应用中表现尤为出色。

    - 快速开关速度:FQD3N50C具有优异的开关特性,能够在短时间内完成开关操作。这一特点使其在高频应用中,尤其是开关电源和高频逆变器中非常受欢迎。

    - 高输入电容:其输入电容(Ciss)约为700pF,这使得FQD3N50C在驱动时能够有效控制输入电流,减少功率损耗,并且有助于提高电路的效率。

    - 高结温:FQD3N50C的最大结温高达150摄氏度,这意味着它在高温环境下仍能可靠运行。这一特性对工业控制和汽车电子等需要在恶劣环境中工作的应用非常重要。

    综上所述,FQD3N50C以其高耐压、低导通电阻、快速开关速度、高输入电容和高结温等特点,在电源管理、工业控制、照明系统、汽车电子以及逆变器和太阳能系统等多种应用中发挥了重要作用。其卓越的性能使其成为各种高效能、高可靠性应用中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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