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场效应MOS管FQD2N80参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:1.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:6.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQD2N80是一种N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),在现代电子设备中有着广泛的应用。它以其高效的开关特性和可靠的性能受到工程师的青睐,主要应用于以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQD2N80常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。其低导通电阻和高耐压特性,使其在高效能量转换和电力管理中表现出色,能够降低能量损耗,提高系统效率。

    2. 电动机控制:在电动机控制电路中,FQD2N80作为开关元件,能够提供快速响应和高效控制,适用于各种电机驱动应用,包括工业自动化设备和家用电器。

    3. 照明系统:LED照明驱动电路中,FQD2N80用于调节电流和控制光源的开关,确保稳定的照明效果和高效能耗管理。

    4. 汽车电子:FQD2N80在汽车电子系统中的应用也非常广泛,如用于控制车灯、电动窗、座椅调节等,通过其可靠的开关特性提高系统的稳定性和响应速度。

    5. 逆变器和变频器:在逆变器和变频器中,FQD2N80作为功率开关器件,能够高效处理高频开关操作,提供稳定的输出和高效的能量转换。

    二、参数特点:

    - 耐压值:FQD2N80具有高达800V的漏源耐压(V_DS),这使其适用于需要高耐压的电路,如工业控制和电力电子设备中。

    - 导通电阻:其典型的导通电阻(R_DS(on))为5.5Ω,这一低导通电阻使得FQD2N80在导通状态下具有较低的功耗,提升了整体系统的能效。

    - 电流能力:FQD2N80能够处理的连续漏极电流(I_D)为2A,这使得它适用于中小功率的开关应用,确保电路的稳定和高效运行。

    - 开关速度:FQD2N80具有快速的开关速度,其开关时间(t_on和t_off)通常在纳秒级别,使其能够在高频应用中表现出色,如高频开关电源和高频逆变器。

    - 热稳定性:其结温范围(T_j)为-55°C至150°C,良好的热稳定性使得FQD2N80能够在宽温度范围内可靠工作,适用于各种严苛的工作环境。

    综上所述,FQD2N80凭借其出色的耐压能力、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和良好的热稳定性,成为了电源管理、电动机控制、照明系统、汽车电子和逆变器等领域中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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