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场效应MOS管FQD2N100参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:1.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:1000VRDS(ON)Ω内阻:9ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQD2N100是一款场效应晶体管,具有多种应用场景和参数特点。下面我们将详细介绍它的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:FQD2N100可用于功率放大和信号处理,在通信设备中发挥着重要作用。例如,在基站的功率放大器和调制器中广泛使用。

    2. 电源管理:在电源管理系统中,FQD2N100可以作为开关管,实现电源的调节和控制,确保系统的稳定运行。

    3. 电动车控制:在电动车的电机控制系统中,FQD2N100可以用于驱动和控制电机,实现高效能的动力输出。

    4. 工业自动化:在自动化控制系统中,FQD2N100可以用于控制和调节各种工业设备,提高生产效率和质量。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,FQD2N100可以用作关键的功率开关元件,实现太阳能电能的转换和输出。

    二、参数特点:

    1. 高耐压特性:FQD2N100的耐压能力较强,可承受较高的电压,适用于高压环境下的应用。

    2. 低导通电阻:FQD2N100在导通状态下具有较低的电阻,有助于减小功率损耗和提高效率。

    3. 快速开关速度:FQD2N100具有快速的开关特性,可在短时间内完成通断操作,适用于要求高响应速度的场合。

    4. 高温稳定性:FQD2N100在高温环境下依然能够保持稳定的性能,适用于工作温度较高的场合。

    5. 可靠性强:FQD2N100经过严格的测试和验证,具有较高的可靠性和长寿命,适用于长期稳定运行的系统中。

    综上所述,FQD2N100在功率电子领域具有广泛的应用前景,其优秀的参数特点使其成为许多电路设计中的首选元器件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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