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场效应MOS管FQD19N10参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:15.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQD19N10是一种常用于电源管理和高频开关应用的场效应晶体管(MOSFET)。本文将详细介绍FQD19N10的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQD19N10在电源管理中具有广泛的应用,特别是在开关电源(SMPS)中。其高效的开关特性和低导通电阻使其成为DC-DC转换器中的理想选择。通过减少功率损耗,提高转换效率,FQD19N10能显著提升电源的性能和可靠性。

    2. 电动工具:在电动工具的电机驱动电路中,FQD19N10扮演着重要角色。其高耐压和高电流处理能力能够满足电动工具高功率输出的需求,同时其坚固的封装和可靠的性能能够保证在严苛工作环境下的稳定运行。

    3. 汽车电子:随着汽车电子化的发展,FQD19N10也被广泛应用于汽车电控单元(ECU)、LED照明以及电池管理系统中。其耐高温、高可靠性的特性能够满足汽车电子产品的严格要求,确保车辆的安全性和稳定性。

    4. 通信设备:在通信设备中,FQD19N10常用于基站电源模块和通信电源系统中。其快速的开关速度和高效的功率转换能力能够提高通信设备的工作效率,确保信号传输的稳定性。

    5. 消费电子:FQD19N10还广泛应用于各种消费电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等。这些设备对电源管理的要求较高,FQD19N10以其优异的开关性能和低功耗特点满足了这些需求,延长了设备的电池寿命。

    二、参数特点:

    - 耐压特性:FQD19N10的最大漏源极电压为100V,这使得它在高压应用中具有较高的安全裕度。其高耐压特性能够有效防止电压击穿,确保电路的稳定运行。

    - 电流处理能力:FQD19N10的最大漏极电流为9A,在大电流负载情况下能够保持稳定的工作状态。其高电流处理能力使其适用于高功率应用,提供更大的电流输出。

    - 导通电阻:FQD19N10的导通电阻仅为0.065Ω,这在降低功耗方面具有显著优势。低导通电阻意味着在相同的电流下,FQD19N10的功率损耗更低,有助于提高整个电路的效率。

    - 开关速度:FQD19N10具有快速的开关速度,其典型的开关时间在数十纳秒级别。这种高开关速度使其在高频应用中表现出色,有助于提高信号传输速度和系统的响应能力。

    - 热性能:FQD19N10具备良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。其热阻(RθJA)较低,散热效果好,能够有效降低工作温度,延长器件的使用寿命。

    综上所述,FQD19N10以其卓越的性能和广泛的应用场景,在多个领域中扮演着关键角色。无论是在电源管理、电动工具、汽车电子、通信设备还是消费电子中,FQD19N10都展示了其不可或缺的价值和优异的性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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