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场效应MOS管FQD18N20V2参数

PD最大耗散功率:83WID最大漏源电流:15AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.14ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQD18N20V2是一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有广泛的应用场景和特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在开关电源和直流-直流转换器中,FQD18N20V2可用作功率开关器件。其低导通电阻和高开关速度使其成为有效的能源转换元件。

    2. 电机驱动:在直流电机驱动器和电机控制系统中,FQD18N20V2可作为电机驱动器。其高电流和低导通电阻特性有助于提高电机的效率和响应性。

    3. 照明应用:在LED驱动和照明系统中,FQD18N20V2可用于调光器和开关电源。其高功率处理能力和可靠性使其成为照明行业的理想选择。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,FQD18N20V2可用于汽车电动系统的控制和功率管理。其耐高温和高电流特性使其适用于汽车环境中的高要求应用。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统的逆变器中,FQD18N20V2可用于电力转换和电池充电控制。其高效率和可靠性有助于提高太阳能系统的性能。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:FQD18N20V2具有较低的导通电阻,有助于降低功率损耗和提高效率。

    2. 高耐压能力:具有较高的耐压能力,可在较高的电压下工作,适用于各种高压应用场景。

    3. 高电流承受能力:能够承受较高的电流,适用于要求较大功率处理的应用场景。

    4. 快速开关速度:具有快速的开关速度,有助于减小开关损耗和提高系统响应速度。

    5. 可靠性:经过严格的质量控制和可靠性测试,确保在各种工作条件下稳定可靠的性能。

    FQD18N20V2的出现为各种功率电子应用提供了可靠且高效的解决方案,其优越的性能特点使其成为工程师们首选的器件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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