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场效应MOS管FQD17P06参数

PD最大耗散功率:44WID最大漏源电流:-12AV(BR)DSS漏源击穿电压:-60VRDS(ON)Ω内阻:0.135ΩVRDS(ON)ld通态电流:-6AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQD17P06是一款常见的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),在各种电子电路中有广泛的应用。下面将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQD17P06常用于开关电源中的功率开关,帮助实现高效的电能转换和管理。

    2. 电机驱动:在电动汽车、电动工具和工业机械等设备中,FQD17P06可以作为电机驱动器,控制电机的启停和速度调节。

    3. LED驱动:在LED照明系统中,FQD17P06可以用作LED的驱动器,调节LED的亮度和颜色。

    4. 电池管理:用于电池充放电管理电路中的开关器件,实现对电池充电和放电过程的精确控制。

    5. 电源逆变:在逆变器中,FQD17P06可以作为开关管,实现直流电到交流电的转换,广泛应用于UPS(不间断电源)和太阳能逆变器等领域。

    二、参数特点:

    1. 低导通压降(RDS(on)):FQD17P06具有较低的导通电阻,能够在开关状态下降低功耗,提高效率。

    2. 高耐压能力:具有较高的漏极-源极耐压,能够承受较高的电压,适用于高压电路设计。

    3. 快速开关特性:具有快速的开关速度,可实现快速响应和高频率操作,适用于需要高速开关的应用场景。

    4. 可靠性:FQD17P06采用优质材料和可靠工艺制造,具有良好的温度稳定性和长期可靠性。

    5. 封装形式:通常采用TO-252或TO-220等标准封装,方便安装和焊接,适用于各种电路板设计。

    总的来说,FQD17P06作为一款性能稳定、应用广泛的MOSFET,适用于各种功率控制和开关应用,能够提高电路的效率和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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