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场效应MOS管FQD12P10TM参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:-9.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:-100VRDS(ON)Ω内阻:0.29ΩVRDS(ON)ld通态电流:-4.7AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQD12P10TM是一种常用于各种电子设备中的功率MOSFET。本文将详细介绍FQD12P10TM的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQD12P10TM常用于开关电源、DC-DC转换器和电源适配器中。其低导通电阻和高效率使其成为这些应用的理想选择。

    2. 电动工具:在电动工具中,FQD12P10TM用于控制电机的启动和停止。它能够处理高电流和高电压的特性,使其在这些应用中表现出色。

    3. 汽车电子:FQD12P10TM被广泛应用于汽车电子系统,如电动窗、座椅调节和灯光控制等。其耐高温和耐高压的特性,使其能够在恶劣的汽车环境中稳定运行。

    4. 通信设备:在通信基站和路由器等设备中,FQD12P10TM用于调节电源和保护电路。其快速开关速度和低损耗,提升了这些设备的整体效率。

    5. 消费电子:如电视机、音响系统和计算机等,FQD12P10TM用于电源管理和电路保护。其小型封装和高可靠性,适合在这些精密设备中使用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FQD12P10TM的导通电阻仅为0.12欧姆,这意味着它在导通状态下损耗非常低,能够有效提高电路的整体效率。

    - 高电流处理能力:FQD12P10TM能够处理高达12安培的连续电流,使其适用于高功率应用。

    - 耐高压特性:FQD12P10TM的最大漏源电压为100伏特,适合在需要处理高电压的应用中使用。

    - 快速开关速度:FQD12P10TM具有快速的开关速度,其开关时间仅为数十纳秒。这使其在高频应用中具有优势。

    - 小型封装:FQD12P10TM采用了DPAK封装,这种小型封装使其能够在空间有限的电路板上使用,同时还提高了散热性能。

    综上所述,FQD12P10TM是一种性能卓越的功率MOSFET,广泛应用于电源管理、电动工具、汽车电子、通信设备和消费电子等领域。其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压特性、快速开关速度和小型封装,使其成为各类高性能电子设备中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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