收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FQD12N20TM参数

场效应MOS管FQD12N20TM参数

PD最大耗散功率:55WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.28ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FQD12N20TM是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子和电源管理领域。本文将详细介绍FQD12N20TM的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQD12N20TM常用于DC-DC转换器和AC-DC电源转换器中。其高效的开关性能和低导通电阻,使其能够在高频环境下稳定工作,提高电源的整体效率。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统(BMS)中,FQD12N20TM被用作开关元件,以实现电池的充放电控制。其高电流处理能力和耐高压特性,确保了电动汽车在各种工况下的可靠运行。

    3. 工业自动化:FQD12N20TM适用于工业自动化控制系统中的各种驱动电路,例如电机驱动和伺服控制系统。其快速开关能力和低导通电阻,有助于提高系统的响应速度和效率。

    4. 消费电子:在笔记本电脑、智能手机和其他便携式设备中,FQD12N20TM用于电源管理和保护电路中。其低导通电阻和小型封装,满足了这些设备对高效能和小型化的需求。

    5. 太阳能光伏系统:FQD12N20TM在太阳能逆变器和光伏发电系统中扮演重要角色。其高效的开关性能,能够最大化太阳能的利用率,提高发电效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FQD12N20TM的导通电阻仅为0.095欧姆,这意味着它在通态时产生的损耗非常低,有助于提高系统的整体效率。

    - 高电流处理能力:FQD12N20TM能够处理高达12安培的连续电流,适用于各种高电流应用场景。这一特点使其在需要大电流传输的应用中表现出色。

    - 高耐压能力:FQD12N20TM的耐压值为200伏特,这使得它能够在高压环境下可靠工作,适用于需要高电压处理的应用,如电动汽车和工业控制系统。

    - 快速开关性能:FQD12N20TM具有快速开关能力,其典型开关时间仅为数纳秒。这一特性使其在高频应用中表现优异,能够显著提高系统的开关效率。

    - 小型封装:FQD12N20TM采用DPAK封装,具有良好的热性能和机械稳定性。小型封装不仅有助于电路板的紧凑设计,还能提高整体系统的可靠性和耐用性。

    综上所述,FQD12N20TM是一款性能卓越的N沟道功率MOSFET,适用于多种电力电子和电源管理领域。其低导通电阻、高电流处理能力、高耐压能力、快速开关性能以及小型封装,使其成为工业和消费电子产品中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号