收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FQD11P06参数

场效应MOS管FQD11P06参数

PD最大耗散功率:2.5WID最大漏源电流:-9.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:-80VRDS(ON)Ω内阻:0.185ΩVRDS(ON)ld通态电流:-4.7AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-3~-5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

立即咨询


    FQD11P06是一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和开关电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源逆变器:FQD11P06常见于电源逆变器设计中,特别是用于直流至交流转换的电路,如工业设备和电子设备中的稳压电源。

    2. LED驱动电路:FQD11P06在LED驱动电路中发挥作用,其高效能和稳定性能确保LED照明系统的高效运行。

    3. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,FQD11P06的高开关速度和可靠性使其成为控制电能转换和传输的理想选择。

    4. 工业电子:FQD11P06也广泛应用于工业自动化和电力电子领域,如电动机驱动和工业控制系统。

    5. 通信设备:FQD11P06可用于通信设备中的功率管理和电源控制,确保设备稳定运行。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:FQD11P06具有低导通电阻,有效降低功率损耗,提升转换效率。

    2. 高开关速度:该器件具有快速的开关响应能力,适合要求高频率操作的电子设备。

    3. 优异的热特性:FQD11P06设计考虑了优化的热管理和封装设计,适应高温环境下的长时间稳定运行。

    4. 额定电压和电流:FQD11P06具有适当的额定电压和电流能力,满足各种应用场景的需求。

    5. 可靠性:该型号经过严格的可靠性测试,确保在各种工作条件下都能稳定可靠地工作。

    综上所述,FQD11P06作为一款先进的功率MOSFET,在现代电子设计中扮演着重要角色。其广泛的应用领域和优异的技术特性使其成为各种电源管理和开关电路中的理想选择,为电子设备的高效能和稳定性提供了强大支持。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号