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场效应MOS管FQB9N50TM参数

PD最大耗散功率:147WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.73ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB9N50TM是一款高效能的场效应管(MOSFET),在各种电子设备和电力系统中得到了广泛应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQB9N50TM被用于主开关元件,因其高效率和低导通电阻,能够有效减少能量损耗,提高电源效率。

    2. 逆变器和变频器:在逆变器和变频器中,FQB9N50TM可以提供快速开关速度和高效的功率转换,适用于太阳能系统、风力发电系统以及各种工业设备。

    3. 电动汽车:在电动汽车的电力驱动系统中,FQB9N50TM可以高效管理电池能量,实现平稳的电力传输和控制。

    4. 家用电器:如空调、冰箱和洗衣机等高功率家用电器,FQB9N50TM能够提供稳定的功率输出和高效的能源管理。

    5. 通信设备:在基站和服务器等通信设备中,FQB9N50TM可用于电源管理模块,确保设备长时间稳定运行。

    二、参数特点:

    - 高电压承受能力:FQB9N50TM能够承受高达500V的漏源电压(Vds),这使得它在高压环境中依然能够稳定工作。

    - 低导通电阻:FQB9N50TM的典型导通电阻为0.85Ω,这显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统效率。

    - 高开关速度:FQB9N50TM具备快速的开关速度,能够在纳秒级别内完成开关操作,适用于需要快速响应的应用场景。

    - 高浪涌电流能力:FQB9N50TM可以承受较高的浪涌电流,这在启动电流较大的设备中尤为重要,如电动机启动时的瞬时大电流。

    - 优良的热性能:FQB9N50TM具有良好的热导性能,能够在高功率操作中保持较低的结温,延长器件寿命并提高可靠性。

    综上所述,FQB9N50TM因其出色的性能参数和广泛的应用场景,成为许多高效能电子设备和系统的首选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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