收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FQB8P10TM参数

场效应MOS管FQB8P10TM参数

PD最大耗散功率:65WID最大漏源电流:-8AV(BR)DSS漏源击穿电压:-100VRDS(ON)Ω内阻:0.53ΩVRDS(ON)ld通态电流:-4AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

立即咨询


    FQB8P10TM是一款广泛应用于多种工业和商业环境中的高性能功率场效应晶体管(MOSFET)。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在各种电源管理系统中,FQB8P10TM因其高效率和低导通电阻而被广泛采用。它能够有效地控制和调节电流,确保系统的稳定和高效运行。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,FQB8P10TM表现出色。它能提供稳定的电流控制和高效的能量转换,特别适用于电动车辆、工业机器人等领域。

    3. 可再生能源系统:在太阳能和风能等可再生能源系统中,FQB8P10TM用于功率转换和控制。其高效能和可靠性确保了能源的有效利用和系统的长期稳定运行。

    4. 消费电子:在消费电子产品中,FQB8P10TM广泛应用于电源适配器、充电器和其他电源模块中。它的小尺寸和高效率使其成为紧凑型设备的理想选择。

    5. 工业自动化:在工业自动化领域,FQB8P10TM用于控制和驱动各种自动化设备。其高耐压和高电流能力使其适用于复杂的工业环境,确保设备的可靠运行。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds):FQB8P10TM的最大漏源电压为100V,这使得它可以在高压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景。

    - 导通电阻(Rds(on)):该型号的导通电阻非常低,仅为0.1Ω,这意味着在导通状态下它可以有效减少功率损耗,提高系统效率。

    - 漏极电流(Id):FQB8P10TM的漏极电流高达8A,能够处理大电流应用需求,适合电机驱动和电源管理等高电流场合。

    - 栅极电荷(Qg):其栅极电荷为15nC,较低的栅极电荷使得它在开关过程中具有更快的响应速度和更低的开关损耗。

    - 封装形式:FQB8P10TM采用了TO-252封装,这种封装形式不仅体积小,而且具有良好的散热性能,适合在空间有限且需要高散热性能的应用中使用。

    总的来说,FQB8P10TM以其高效率、高可靠性和多功能性,成为各个行业中广泛应用的重要元件。其卓越的性能参数确保了在各种复杂应用环境中的优异表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号