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场效应MOS管FQB8N60CF参数

PD最大耗散功率:147WID最大漏源电流:6.26AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.13AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB8N60CF是一种高压N沟道增强型场效应管(MOSFET),具有广泛的应用场景和独特的参数特点。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:FQB8N60CF广泛应用于AC-DC和DC-DC电源转换器中。其高压特性使其非常适合用于输入电压较高的场合,如家电和工业设备中的电源模块。

    2. 照明系统:在LED照明驱动电路中,FQB8N60CF常用于开关驱动部分。它能够提供稳定的电流和电压,确保LED灯具的亮度和寿命。

    3. 电机驱动:在小型电机控制电路中,FQB8N60CF可以作为开关元件使用。它能够高效控制电机的启动和停止,提高系统的整体效率。

    4. 逆变器:在太阳能和风能发电系统中,FQB8N60CF常被用于逆变器电路中。它能够处理较高的电压和电流,确保电能的有效转换。

    5. 工业控制系统:在工业自动化和控制系统中,FQB8N60CF用于驱动各种传感器和执行器。其高可靠性和耐用性使其成为工业应用中的理想选择。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:FQB8N60CF具有600V的高击穿电压,这使得它能够在高压环境下稳定工作,适用于多种高压应用场景。

    - 低导通电阻:FQB8N60CF的导通电阻低至0.85Ω,这在减少功耗和提高效率方面具有显著优势,尤其在电源管理和电机驱动中表现突出。

    - 高电流能力:该器件最大连续漏极电流为8A,能够处理较大的电流,适用于需要大电流的应用如电机控制和大功率照明。

    - 快速开关速度:FQB8N60CF的开关速度快,这对于需要快速响应的电路如开关电源和逆变器非常重要。其快速的开关速度有助于提高系统的效率和响应速度。

    - 高可靠性:FQB8N60CF具有较高的可靠性,能够在恶劣环境下稳定工作。这一特点使其在工业控制、汽车电子等需要长期稳定运行的场合中具有广泛应用。

    综上所述,FQB8N60CF凭借其高击穿电压、低导通电阻、高电流能力、快速开关速度和高可靠性,成为多种应用场景中的理想选择。这些特点使得它在电源转换器、照明系统、电机驱动、逆变器和工业控制系统中发挥着重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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