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场效应MOS管FQB8N60C参数

PD最大耗散功率:147WID最大漏源电流:7.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB8N60C是一款MOS场效应晶体管,通常应用于功率电子设备中。它的参数特点和应用场景如下:

    一、应用场景:

    1. 高功率开关电路:FQB8N60C具有较低的导通电阻和较高的开关速度,使其非常适合用作高功率开关电路的关键部件。在这些电路中,它能够有效地控制电流流动,实现快速、高效的开关操作,从而提高整个电路的性能和效率。

    2. 电源逆变器:在电源逆变器中,FQB8N60C可以被用来控制电能的转换过程。通过合适的驱动电路,它可以实现将直流电能转换为交流电能,从而满足不同应用对电源的需求。其低导通电阻和高电流承受能力使其在这种高功率应用中表现出色。

    3. 电机驱动器:FQB8N60C也常用于电机驱动器中,特别是在需要高效率和高功率输出的应用中。通过控制电机的电流,它能够实现精确的速度和转矩控制,从而广泛应用于工业自动化、电动车辆等领域。

    4. 电源管理:在电源管理领域,FQB8N60C可用于设计各种类型的电源,如开关电源、充电器等。其低开关损耗和高效率使其成为设计节能型电源的理想选择,有助于降低能源消耗和减少对环境的影响。

    5. LED照明系统:LED照明系统需要高效的功率控制电路来驱动LED灯珠,而FQB8N60C则可用于设计这样的功率控制电路。它能够提供稳定的电流输出,确保LED灯的亮度和色彩的稳定性,同时具有较高的效率,有助于节能和延长LED灯的使用寿命。

    二、参数特点:

    1. 高导通电阻和高开关速度;

    2. 较低的钳位电压,有效限制电压尖峰;

    3. 高电流承受能力;

    4. 低开关损耗和高效率;

    5. 适用于各种功率电子设备。

    综上所述,FQB8N60C作为一款高性能的MOS场效应晶体管,在各种功率电子设备中都有着广泛的应用前景,其低导通电阻、高开关速度和电流承受能力等特点使其成为众多电子设计工程师的首选之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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