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场效应MOS管FQB7N60参数

PD最大耗散功率:142WID最大漏源电流:7.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB7N60是一款功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。其应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQB7N60经常被用于开关电源中,作为高效的开关元件。它的高耐压和低导通电阻使其在高频开关过程中能有效减少功耗,从而提高整体效率。

    2. 电机驱动:在电机控制电路中,FQB7N60可用作H桥电路的一部分,帮助实现对直流电机的高效控制。其快速开关速度和高电流处理能力能够满足不同功率等级电机的驱动需求。

    3. 光伏逆变器:FQB7N60在光伏逆变器中也有应用,它能够处理较高的电压和电流,确保逆变器能够稳定工作。此外,低导通电阻也有助于减少逆变器的能量损耗,提高整体转换效率。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FQB7N60可以作为逆变电路的一部分,帮助实现高效的电能转换和稳定输出,保障重要设备在断电时的持续供电。

    5. 工业控制:在工业控制系统中,FQB7N60常用于控制和保护电路。其高可靠性和耐用性确保系统在严苛的工业环境中能够长期稳定运行。

    二、参数特点:

    - 耐压高:FQB7N60的最大漏源电压(Vds)为600V,使其在高压应用中具有显著优势。无论是用于开关电源还是电机驱动,高耐压性能都能确保电路的安全性和可靠性。

    - 导通电阻低:FQB7N60的导通电阻(Rds(on))非常低,仅为1.2欧姆左右。这意味着在相同电流下,它的功耗较低,有助于提高系统的效率并减少散热需求。

    - 开关速度快:FQB7N60具有极快的开关速度,其典型的开关时间为纳秒级。这使得它非常适合于高频开关应用,能够显著提高电路的响应速度和效率。

    - 电流处理能力强:FQB7N60的最大连续漏极电流(Id)可达7A,能够满足大多数高功率应用的需求。这使其在需要处理大电流的场合表现出色。

    - 封装类型多样:FQB7N60通常采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,适合在各种恶劣环境中使用。此外,其标准引脚排列便于电路设计和集成。

    通过以上详细描述,可以看出FQB7N60在各种应用场景中都表现出色,其参数特点使其成为高效、可靠的功率MOSFET选择。在选择元器件时,了解这些参数和应用场景,有助于工程师们更好地进行电路设计和优化。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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