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场效应MOS管FQB6N90参数

PD最大耗散功率:167WID最大漏源电流:5.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:1.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB6N90是一款MOSFET场效应管的型号,常见于电源管理等领域。下面将详细介绍它的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:FQB6N90在通信设备中用于功率开关等应用,保障设备的稳定工作。

    2. 汽车电子:在电动汽车充电桩、车载电子系统中,FQB6N90用于功率开关和电源管理,确保系统安全可靠。

    3. 工业自动化:在工业自动化设备中,FQB6N90用于电机驱动、电源开关等应用,提高设备的效率和可靠性。

    4. 新能源领域:FQB6N90在太阳能逆变器、电源逆变器中发挥作用,促进新能源技术的发展。

    5. 电源管理:FQB6N90还常见于电源管理电路中,用于开关电源等应用,提高能源转换效率。

    二、参数特点:

    1. 低导通压降(RDS(on)): FQB6N90具有较低的导通压降,有助于降低功率损耗,提高系统效率。

    2. 高耐压能力: FQB6N90能够承受较高的电压,保证在高压环境下的稳定工作。

    3. 高开关速度: FQB6N90响应速度快,能够快速控制电路的通断,提高系统的动态响应性能。

    4. 低开关损耗: FQB6N90的开关损耗较小,有助于降低能源损耗,提高系统效率。

    5. 良好的热特性: FQB6N90具有良好的热特性,能够有效散热,提高器件的可靠性和长期稳定性。

    综上所述,FQB6N90作为一款MOSFET场效应管,具有广泛的应用场景和优秀的参数特点,适用于各种要求高效、稳定、可靠的电力控制和转换系统中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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