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场效应MOS管FQB6N70参数

PD最大耗散功率:142WID最大漏源电流:6.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:700VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB6N70是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备和电源管理系统中。这种器件由于其高效的性能和可靠的特性,成为众多工程师和设计师的首选。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源适配器:在电源适配器中,FQB6N70常用于高效的电能转换,确保设备能够稳定供电,同时减少能量损耗。

    2. 开关电源:在开关电源设计中,FQB6N70的低导通电阻和快速开关速度,能够提高电源的效率和可靠性。

    3. 电机驱动:在电机控制系统中,FQB6N70用于驱动和控制电机,提供高效的电能转换和精准的速度控制。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FQB6N70作为逆变器的一部分,能够高效地将直流电转换为交流电,提高系统的整体效率。

    5. 消费电子:在各类消费电子产品中,FQB6N70被广泛用于电源管理模块,如智能手机、笔记本电脑等,确保设备在高负载情况下仍能高效工作。

    二、参数特点:

    - 导通电阻:FQB6N70具有极低的导通电阻(RDS(on)),通常在满载条件下不超过1欧姆。这种低导通电阻能够减少能量损耗,提升系统效率。

    - 耐压能力:FQB6N70的漏源极电压(VDS)高达700V,这使得它能够在高压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景。

    - 开关速度:FQB6N70具有快速的开关速度,这意味着它能够快速响应输入信号的变化,提高系统的动态性能和响应速度。

    - 热性能:FQB6N70具有良好的热性能,其结温(Tj)最高可达150℃,这使得它在高温环境下仍能稳定工作,不易过热损坏。

    - 电流能力:FQB6N70的漏极电流(ID)最大可达6A,能够满足高电流需求的应用场景,如电机驱动和大功率电源管理。

    综上所述,FQB6N70在高效、可靠和稳定性方面具有显著优势,适用于各种需要高性能和高可靠性的电子设备和电源管理系统。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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