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场效应MOS管FQB5N90参数

PD最大耗散功率:158WID最大漏源电流:5.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:2.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB5N90是一种高压场效应管(MOSFET),在多个工业和电子应用中都得到了广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源和DC-DC转换器中,FQB5N90用于高效能量转换和管理。其高击穿电压和低导通电阻使其成为高效能电源转换的理想选择。

    2. 照明设备:在LED驱动电路中,FQB5N90被广泛应用。由于其优异的开关特性和低热阻,可以有效控制电流,提高照明系统的整体效率和寿命。

    3. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,FQB5N90提供了可靠的高压控制能力。其快速开关速度和强大的电流处理能力,使其适用于各种电机控制应用,如风扇、电动车和工业机械。

    4. 太阳能逆变器:在光伏发电系统中,FQB5N90常用于逆变器中,将直流电转换为交流电。其高效能和可靠性能够确保太阳能系统的长期稳定运行。

    5. 工业自动化设备:在PLC(可编程逻辑控制器)和其他自动化控制设备中,FQB5N90被用来实现高精度的控制和信号调节。其出色的性能参数使其成为工业自动化领域的关键组件。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:FQB5N90的漏源击穿电压(BVDSS)高达900V,使其能够在高压环境下稳定运行。这一特点特别适用于需要高压开关的应用,如电源管理和工业控制。

    - 低导通电阻:其典型的导通电阻(RDS(on))为1.1Ω,意味着在导通状态下,FQB5N90可以提供低功耗和高效能量传输。这一特性在电源转换和电机控制中尤为重要。

    - 高电流处理能力:FQB5N90的最大漏极电流(ID)可达5A,能够处理较大电流负载。这使其适用于需要高电流处理能力的应用,如照明设备和太阳能逆变器。

    - 快速开关速度:FQB5N90的开关速度非常快,具有较短的导通和关断时间。这种快速响应能力使其在需要高频开关的应用中表现优越,如LED驱动和电机控制。

    - 低栅极电荷:FQB5N90的栅极电荷(Qg)较低,约为50nC。这意味着其在开关过程中所需的驱动能量较小,有助于提高整体系统的效率,特别是在电源管理和自动化控制应用中。

    综上所述,FQB5N90由于其高击穿电压、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和低栅极电荷等优异特性,在电源管理、照明设备、电机控制、太阳能逆变器和工业自动化设备等多个领域中得到了广泛应用,成为了现代电子设备中不可或缺的关键组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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