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场效应MOS管FQB50N06L参数

PD最大耗散功率:121WID最大漏源电流:52.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.021ΩVRDS(ON)ld通态电流:26.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB50N06L是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电子设备中。以下将从应用场景和参数特点两个方面详细介绍FQB50N06L

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在各种电源转换和调节电路中,FQB50N06L常被用作开关元件。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合高效的DC-DC转换器和AC-DC适配器。

    2. 电机驱动:FQB50N06L在电机控制系统中表现出色,尤其是在需要快速开关和高效能量传输的场景中,如电动工具和机器人。它能提供精确的电流控制和高效的能量利用。

    3. 逆变器:在光伏系统和不间断电源(UPS)中,FQB50N06L作为逆变器开关元件,能够高效地将直流电转换为交流电。这有助于提高系统的整体效率和可靠性。

    4. 音频放大器:在高保真音频设备中,FQB50N06L可以用于功率放大部分。其高开关速度和低失真特性使其能够提供清晰和高质量的音频输出。

    5. 通信设备:在无线基站和路由器等通信设备中,FQB50N06L用于电源管理和信号放大部分,确保设备的稳定运行和高效能量利用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FQB50N06L具有极低的导通电阻(R_DS(on)),典型值为0.022Ω,这使得其在高电流应用中具有优越的导电性能,减少了功率损耗和发热。

    - 高电流承载能力:FQB50N06L最大连续漏极电流(I_D)可达50A,使其能够在大功率应用中稳定运行,提供强劲的电流支持。

    - 高击穿电压:FQB50N06L的漏源击穿电压(V_DSS)为60V,适用于需要较高电压承受能力的应用,增强了其在各种工作环境中的可靠性。

    - 快速开关速度:FQB50N06L的快速开关特性使其能够在高频应用中高效工作,减少了开关损耗,提升了系统的整体效率。

    - 热性能优越:FQB50N06L的热阻(R_θJC)低至0.5℃/W,优越的热性能使其在高功率应用中能够保持较低的结温,延长了器件的使用寿命。

    综上所述,FQB50N06L凭借其卓越的性能和广泛的应用场景,成为了众多高效电力电子系统的首选器件。无论是在电源管理、电机驱动、逆变器、音频放大器还是通信设备中,FQB50N06L都能够提供稳定可靠的性能支持。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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