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场效应MOS管FQB4N90参数

PD最大耗散功率:140WID最大漏源电流:4.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:3.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB4N90是一款具备高耐压特性的场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子和电力系统中。其主要应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQB4N90常用于开关电源和DC-DC转换器中。由于其高耐压特性和低导通电阻,可以有效提高电源转换效率,减少热损耗,增强系统的稳定性。

    2. 照明系统:在LED驱动电路中,FQB4N90作为开关元件,可以实现高效的电流控制和调光功能,延长LED的使用寿命并提高能效。

    3. 电动汽车和混合动力车辆:FQB4N90适用于电动汽车中的高压电池管理系统和逆变器。其高电压耐受能力确保了在高压环境下的可靠运行,提升了车辆的整体性能和安全性。

    4. 工业自动化:在工业自动化设备中,FQB4N90用于电机驱动和控制电路。其快速开关速度和高耐压特性,使其能满足工业设备对精度和效率的要求。

    5. 家用电器:如空调、冰箱等家用电器中,FQB4N90用于压缩机和风扇电机的驱动电路,确保电器的高效运行和能耗降低。

    二、参数特点:

    - 高耐压特性:FQB4N90具备900V的耐压能力,这使其在高压环境中具有优异的性能,能够应对各种复杂的工作条件,防止电路击穿。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻仅为2.5欧姆,在开关状态下具有极低的损耗,这有助于提高系统的整体效率,减少功耗。

    - 快速开关速度:FQB4N90的开关速度非常快,典型的上升时间和下降时间均在几十纳秒级别,这对于需要快速响应的电路设计来说是一个重要的优势。

    - 高可靠性:由于采用了先进的制造工艺和材料,FQB4N90在高温和高压环境下仍能保持稳定的性能,确保了其在长期使用中的可靠性。

    - 封装形式:FQB4N90采用了TO-220封装形式,这种封装方式具备良好的散热性能和机械强度,便于安装和使用,适合于各种电路板设计。

    综上所述,FQB4N90凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关、高可靠性和优良的封装形式,在电源管理、照明系统、电动汽车、工业自动化和家用电器等多个领域得到了广泛应用。其卓越的性能和稳定的表现,使其成为现代电子设备中不可或缺的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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