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场效应MOS管FQB4N60参数

PD最大耗散功率:106WID最大漏源电流:4.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB4N60是一种高性能的功率MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于各种电源转换和功率控制系统中。本文将详细探讨FQB4N60的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FQB4N60常用于开关电源中,特别是高效能、高功率密度的应用。它能够在高频开关下工作,提供稳定的电流和电压输出,适用于笔记本电脑、桌面计算机和家用电器的电源模块。

    2. 电机控制:在工业和家用电机控制系统中,FQB4N60可以用作电机驱动器的关键组件。它的高电流和高电压能力使其适合用于变频器和伺服驱动器,提高系统的控制精度和响应速度。

    3. 照明系统:FQB4N60在LED照明驱动电路中也有广泛应用。由于其高效率和可靠性,可以提高LED照明系统的能效和寿命,减少能源消耗,适用于各种室内和室外照明方案。

    4. 太阳能逆变器:太阳能逆变器需要高效的功率转换组件,FQB4N60能够满足这一需求。它在太阳能光伏系统中,能有效转换直流电为交流电,提升整个系统的转换效率。

    5. 电动车充电器:FQB4N60在电动车充电器中应用广泛。它的高耐压和高效率特性,使其能够在快速充电和高功率输出的情况下保持稳定工作,提升充电速度和安全性。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:FQB4N60具有高达600V的击穿电压,能够在高电压环境下稳定运行,适用于需要高耐压特性的应用场景。

    - 低导通电阻:其低导通电阻(R_DS(on))使得FQB4N60在高电流通过时产生的损耗更低,从而提高了整体的电源效率和系统性能。

    - 快速开关速度:FQB4N60具有快速的开关速度,能够在高频操作中有效减少开关损耗,这使得它在开关电源和电机控制等需要高频率切换的应用中表现出色。

    - 高输入电容:FQB4N60的输入电容(C_iss)设计合理,确保了在开关频率较高的情况下仍能保持稳定的操作状态,减少了输入信号的干扰。

    - 热性能优越:该型号的热性能表现优越,具有较低的热阻(R_thJC),可以在高功率运行时有效散热,确保长时间稳定工作,延长器件寿命。

    通过以上对FQB4N60应用场景和参数特点的详细阐述,可以看出它在现代电子和电力系统中的重要作用。其高效能和可靠性,使得FQB4N60成为各种高要求应用中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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