PD最大耗散功率:146WID最大漏源电流:43.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.039ΩVRDS(ON)ld通态电流:21.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 电源管理系统:FQB44N10作为开关元件,能够有效地控制电流和功率,提高系统的效率和稳定性。
2. 电机驱动:用于控制电动工具、电动车辆以及家用电器中的电机,通过FQB44N10的高效能和低导通电阻特性,实现精准的电机控制和能量转换。
3. 电源逆变器:在太阳能电池系统、UPS(不间断电源系统)和其他需要逆变的应用中,FQB44N10作为逆变电路的关键部件,能够将直流电源转换为交流电源,供应各种电子设备。
4. 工业自动化:应用于自动化机械和工业控制系统,帮助保护设备免受电源干扰和电涌的影响。
二、参数特点:
1. 低导通电阻:FQB44N10典型值仅为25mΩ,显著减少功率损耗,提高能效。
2. 高电流承受能力:最大持续电流达59安培,适合处理大功率负载和瞬态电流冲击。
3. 高压耐受能力:支持最大主导电压为100V,保证在高电压环境下的可靠工作。
4. 优良的开关特性:快速开关速度和低开启电压,确保在高频应用中能够稳定可靠地工作。
5. 良好的热特性:通过有效的散热设计,能够在高功率工作条件下保持温度稳定,延长元件寿命。
综上所述,FQB44N10作为一款性能优异的功率MOSFET,不仅在电源管理和功率放大领域表现出色,其可靠性和高效能使其成为现代电子设备设计中不可或缺的重要元件。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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