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场效应MOS管FQB3P50参数

PD最大耗散功率:28WID最大漏源电流:1AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:8ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB3P50是一种N沟道增强型MOS管,广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQB3P50常用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器等电源管理系统中。在这些应用中,它可以高效地控制电流流动,实现电能的转换和调节,提高整体系统的能效和稳定性。

    2. 电机驱动:在电机控制电路中,FQB3P50可以用作功率开关,控制电机的启动、停止和转速调节。由于其低导通电阻和高电流处理能力,能够有效减少电机运行时的功率损耗。

    3. 照明控制:在LED照明和节能灯具中,FQB3P50可作为驱动开关,控制灯具的亮度和开关状态。其高效率和可靠性保证了灯具的长寿命和稳定性。

    4. 通信设备:FQB3P50在通信设备如路由器、交换机等中也有应用,主要用于信号放大和电源管理。其快速开关特性使得信号传输更加稳定。

    5. 消费电子产品:在各类家用电器和便携式电子设备中,FQB3P50用于电源管理和控制电路。例如,智能手机、平板电脑和电视机等设备中,通过MOS管来实现高效的电源调节和保护功能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FQB3P50的导通电阻非常低,在25°C时典型值仅为0.022欧姆。这意味着在大电流通过时,其功耗较低,能够提高系统的效率。

    - 高击穿电压(V(BR)DSS):FQB3P50的击穿电压为500V,这使得它可以在高压环境下安全工作,适用于需要高耐压能力的应用场合。

    - 大电流处理能力:其连续漏极电流(ID)可达30A,脉冲漏极电流(IDM)可达120A。这表明FQB3P50能够处理较大的电流,适用于大功率应用。

    - 快速开关速度:FQB3P50具有快速的开关速度,开关时间仅为几十纳秒。这使得它在高频应用中表现出色,能够减少开关损耗,提高系统效率。

    - 热阻低:FQB3P50具有较低的结到环境热阻(RθJA)和结到壳体热阻(RθJC),分别为62.5°C/W 和0.75°C/W。这有助于在高功率应用中更好地散热,保证器件的可靠性和长寿命。

    综上所述,FQB3P50作为一种性能优越的N沟道MOS管,凭借其低导通电阻、高击穿电压、大电流处理能力和快速开关速度,广泛应用于电源管理、电机驱动、照明控制、通信设备和消费电子产品中。其出色的参数特点使得它在各种高效能和高可靠性的应用场合中得以广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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