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场效应MOS管FQB3N80参数

PD最大耗散功率:107WID最大漏源电流:3AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB3N80是一款高压场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种需要高效开关和功率转换的领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQB3N80常用于开关电源中的高效能转换电路中。它能够处理高电压和高电流,使得开关电源能够在高效率下工作,减少能量损耗。

    2. 逆变器和变频器:在逆变器和变频器应用中,FQB3N80凭借其快速开关特性,可以有效地控制电能转换过程,提高设备的整体效率,降低热量产生,提升系统可靠性。

    3. 电动工具:电动工具需要高效且稳定的功率控制,FQB3N80在电动工具的电源管理系统中扮演重要角色,确保工具在高负荷工作时仍能保持高性能和长寿命。

    4. 工业控制:在工业控制系统中,FQB3N80可以用于驱动高功率电机和其他负载,其高耐压和高电流处理能力使其能够在恶劣的工业环境中可靠运行。

    5. 光伏逆变器:FQB3N80在光伏逆变器中被广泛应用,用于将直流电转换为交流电,其高效能和高可靠性为光伏系统的高效能运行提供了保障。

    二、参数特点:

    1. 漏源电压(Vds):FQB3N80的最大漏源电压为800V,这使其能够处理高电压应用,适用于各种需要高耐压的电路设计。

    2. 导通电阻(Rds(on)):该型号的导通电阻较低,这意味着在导通状态下,FQB3N80能够减少功率损耗,提高能效。在典型应用中,其Rds(on)约为3欧姆,具体数值可能会因工作条件而变化。

    3. 漏极电流(Id):FQB3N80的最大漏极电流为3A,能够处理中等功率的应用需求,适用于多种电源管理和驱动电路。

    4. 栅极电荷(Qg):该型号的栅极电荷较低,通常在50nC以下,这使得FQB3N80能够快速开关,适合高频率的开关应用,有助于减少开关损耗,提高转换效率。

    5. 工作温度范围:FQB3N80能够在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作,这使其在各种环境条件下都能保持良好的性能,适应性强。

    通过这些特点,FQB3N80在高效能和高可靠性的应用中表现出色,是高压开关和功率转换电路中的理想选择。在实际应用中,设计工程师可以根据具体的需求,充分利用FQB3N80的优势,实现最佳的电路性能和效率。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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