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场效应MOS管FQB30N06参数

PD最大耗散功率:79WID最大漏源电流:30AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.04ΩVRDS(ON)ld通态电流:15AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB30N06是一个常见的N沟道MOSFET,其广泛应用于各种电源管理和开关电路中。以下是关于FQB30N06的应用场景和参数特点的详细描述。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQB30N06常用于主开关元件,负责高效地将直流电转换为其他电压等级的直流电。其高开关速度和低导通电阻使其非常适合这种应用。

    2. 电机控制:在电机驱动电路中,FQB30N06可以用作电机的开关元件,通过控制其开关状态来调节电机的转速和方向。由于其高电流处理能力和耐用性,适用于各类电机控制系统。

    3. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,FQB30N06充当开关元件,通过高频开关实现电压的提升或降低。其高效的特性使其在便携设备和电池供电设备中广受欢迎。

    4. 逆变器:在光伏逆变器和不间断电源(UPS)中,FQB30N06被用来将直流电转换为交流电。其高效能和高可靠性确保了电力转换过程的稳定性和效率。

    5. 负载开关:在电子设备中,FQB30N06可以用作高电流负载开关,控制电源对特定负载的供电。其低导通电阻和快速开关特性使其成为理想选择。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FQB30N06的导通电阻非常低,仅为0.035欧姆。这意味着在导通状态下,它的功耗极低,提高了整体电路的效率。

    - 高电流处理能力:FQB30N06能够处理高达30安培的连续漏极电流,适用于需要高电流驱动的应用。

    - 高耐压:其漏极-源极耐压为60伏,这使得FQB30N06在较高电压环境下也能稳定工作,适应性强。

    - 快速开关速度:由于其较低的栅极电荷和输入电容,FQB30N06具有快速的开关速度,能够在高频率应用中高效工作。

    - 热性能:FQB30N06在良好的散热条件下,能够维持稳定的工作温度,其结温最高可达175摄氏度。良好的热性能确保了在高功率应用中的可靠性。

    通过以上描述,我们可以看出,FQB30N06作为一种性能优越的N沟道MOSFET,在各类电源管理和开关应用中表现出色。其低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和优异的热性能,使其成为许多电子工程师的首选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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