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场效应MOS管FQB27N25参数

PD最大耗散功率:180WID最大漏源电流:25.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.11ΩVRDS(ON)ld通态电流:12.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB27N25是一款由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产的N沟道增强型MOSFET。它在各种应用场景中表现出色,尤其在功率转换和管理方面。本文将详细介绍FQB27N25的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQB27N25常用于开关电源中,尤其是在高频开关电路中。由于其快速开关速度和低导通电阻,它能有效地减少开关损耗,从而提高电源的效率和可靠性。

    2. 电动汽车充电器:在电动汽车充电器中,FQB27N25的高耐压特性使其适用于高压转换电路。它能承受大电流和高电压,确保充电过程的安全和高效。

    3. 太阳能逆变器:太阳能逆变器需要高效的功率转换,FQB27N25由于其高效能和耐用性,成为这些系统的理想选择。它可以有效地将直流电转换为交流电,最大化太阳能利用率。

    4. 电机驱动器:在电机驱动器中,FQB27N25可以控制电机的启动、停止和速度调节。其高耐压和高电流处理能力,使其在工业和消费类电机控制中得到广泛应用。

    5. 不间断电源(UPS):FQB27N25在UPS系统中用于转换和调节电流,以确保在电源中断时,能够继续提供稳定的电力供应。其高效的电流传导能力和低热损耗,确保了UPS系统的高效和长寿命。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:FQB27N25的击穿电压(Vds)为250V,这使其能够在高压环境中稳定工作。这一特点使其在高压应用场景中非常受欢迎,例如电动汽车充电器和太阳能逆变器。

    - 低导通电阻(Rds(on):该器件的导通电阻非常低,在10V的栅极电压下仅为0.075Ω。这意味着FQB27N25在导通状态下具有极低的能量损耗,能够显著提高电路的整体效率。

    - 高电流处理能力:FQB27N25能够处理高达27A的连续漏极电流,这使其适用于需要大电流传输的应用场景,如电机驱动和开关电源。这一特性确保了其在高功率应用中的可靠性和稳定性。

    - 快速开关速度:由于其较低的栅极电荷(Qg为36nC),FQB27N25具有非常快速的开关速度。这一特性在需要快速切换的电路中尤为重要,例如高频开关电源和太阳能逆变器,可以显著减少开关损耗。

    - 热性能优越:FQB27N25采用D2PAK封装,具有良好的热性能,能够有效散热,减少热阻,从而在高功率操作中保持稳定的温度。这对于长时间运行和高功率应用非常关键,能够延长器件的使用寿命。

    综上所述,FQB27N25以其高耐压、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和优越的热性能,成为多种高效能应用中的理想选择。无论是在开关电源、电动汽车充电器、太阳能逆变器、电机驱动器,还是不间断电源中,FQB27N25都表现出卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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