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场效应MOS管FQB25N33参数

PD最大耗散功率:250WID最大漏源电流:25AV(BR)DSS漏源击穿电压:330VRDS(ON)Ω内阻:0.23ΩVRDS(ON)ld通态电流:12.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB25N33是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中,尤其是在电源管理和转换电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FQB25N33常用于开关模式电源中,作为高效开关元件。其高耐压和低导通电阻特性使其在高频、高效能的电源转换中表现优异。

    2. 电机驱动:在直流电机驱动器中,FQB25N33由于其高电流承受能力和低导通损耗,能够有效提高电机的驱动效率和控制精度。

    3. 不间断电源(UPS):FQB25N33被广泛用于UPS系统中,用于快速切换电流路径,从而保证电源的稳定和可靠。

    4. 逆变器:在太阳能和风能等可再生能源系统中,FQB25N33用作逆变器的主要开关元件,能够高效地将直流电转换为交流电。

    5. 电池管理系统(BMS):FQB25N33在电池管理系统中,用于控制充放电过程,保护电池,延长其使用寿命。

    二、参数特点:

    - 耐压性:FQB25N33的击穿电压(BVDSS)高达330V,使其适用于高压应用场景,能够承受更大的电压冲击。

    - 导通电阻(RDS(on)):FQB25N33具有极低的导通电阻,典型值为0.075Ω。这种低导通电阻在开关状态下能够显著降低能量损耗,提高系统效率。

    - 电流承载能力:FQB25N33的连续漏极电流(ID)高达25A,使其能够处理大电流应用,适合电机驱动和高功率电源等场合。

    - 开关速度:FQB25N33具有快速的开关速度,其典型的上升时间和下降时间分别为15ns和50ns。这种快速的开关特性对于高频开关电源和逆变器是非常理想的。

    - 热性能:FQB25N33具有良好的热性能,最大结温(Tj)高达150°C,并且其低热阻(RθJC)特性保证了在高功率应用中的可靠散热,延长了器件寿命。

    综上所述,FQB25N33凭借其高耐压、低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性,广泛应用于开关电源、电机驱动、不间断电源、逆变器和电池管理系统等多个领域。其优异的参数特点使其在各类高效能和高可靠性的电子电路中表现突出。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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