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场效应MOS管FQB19N20C参数

PD最大耗散功率:139WID最大漏源电流:19AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.17ΩVRDS(ON)ld通态电流:9.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB19N20C是一种常用的功率MOSFET,主要应用于各种电子设备和电路中。由于其出色的性能和可靠性,它在多个领域得到了广泛应用。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQB19N20C常用于高效开关电源中,特别是在需要快速切换和高效能量传输的场合。其低导通电阻和高脉冲电流处理能力使其成为开关电源设计中的理想选择。

    2. 电动机控制:在电动机驱动电路中,FQB19N20C被用作控制器件,能够高效地管理电流和电压,从而提高电动机的性能和效率。其快速开关特性有助于实现更平滑的电动机操作。

    3. 太阳能逆变器:太阳能逆变器需要高效且可靠的功率转换,FQB19N20C在这类应用中表现出色。其高耐压和高电流处理能力确保了逆变器的稳定运行。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,FQB19N20C被用于控制充放电过程,保护电池组并延长其使用寿命。其低功耗特性有助于最大限度地减少能量损失。

    5. 音频放大器:FQB19N20C也被用于高保真音频放大器中,提供高效、低失真的电源管理。其快速响应和低噪声特性使其非常适合音频应用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(Rds(on)):FQB19N20C的导通电阻极低,仅为0.18欧姆,这意味着它在开通状态下能最大限度地减少功率损耗,提高电路的整体效率。

    - 高耐压能力:FQB19N20C的漏源击穿电压为200V,这使其能够在高电压环境中可靠工作,不易受到电压击穿的影响。

    - 高脉冲电流能力:FQB19N20C能够处理高达74A的脉冲电流,适用于需要高瞬态电流的应用,如电动机启动或电源切换。

    - 快速开关速度:由于其低栅极电荷和快速开关特性,FQB19N20C可以实现高频操作,从而提高了电路的响应速度和效率。

    - 热性能优越:FQB19N20C具有良好的热导性能,能够在高温环境下稳定工作,降低了热失效的风险。

    综上所述,FQB19N20C以其低导通电阻、高耐压能力、高脉冲电流处理能力、快速开关速度和优越的热性能,在众多电子设备和电路中得到了广泛应用。无论是在开关电源、电动机控制、太阳能逆变器、电池管理系统还是音频放大器中,FQB19N20C都能提供高效、可靠的性能支持。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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