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场效应MOS管FQB19N20参数

PD最大耗散功率:140WID最大漏源电流:19.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.15ΩVRDS(ON)ld通态电流:9.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB19N20是一款N沟道功率MOSFET,其广泛应用于各种电子设备和电路中,主要应用场景包括:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQB19N20常用于高效能量转换和调节,能够在高频率下快速开关,提高电源效率,减少热量产生。

    2. 电机驱动:在电机控制电路中,FQB19N20用于控制电机的启停和速度调节,其低导通电阻和高电流处理能力确保了电机运行的稳定性和高效性。

    3. DC-DC转换器:在DC-DC转换电路中,FQB19N20能够在不同电压等级之间进行高效的电能转换,常用于便携设备、电池管理系统等领域。

    4. 逆变器:在逆变器电路中,FQB19N20用作功率开关元件,能够实现直流电到交流电的转换,广泛应用于光伏发电、风力发电等新能源领域。

    5. 汽车电子:FQB19N20在汽车电子中用作控制单元的开关器件,如车载充电器、照明系统、电子控制单元(ECU)等,满足高可靠性和高效能的需求。

    二、参数特点:

    - 导通电阻低(Rds(on)):FQB19N20的典型导通电阻仅为0.16欧姆,这意味着它在导通状态下产生的功率损耗非常低,能够有效提高电路效率,减少热量生成。

    - 高电流处理能力:FQB19N20的最大漏极电流为19安培,使其能够处理较大的电流,适用于需要高电流驱动的应用场景,如电机驱动和电源管理。

    - 耐高压:FQB19N20的最大漏源电压为200伏,这使得它在高压应用中具有很高的可靠性和安全性,能够在较高电压环境下稳定工作。

    - 开关速度快:FQB19N20具备较快的开关速度,其栅极电荷(Qg)低,使其能够在高频率下快速开关,适用于需要高频操作的电路,如开关电源和DC-DC转换器。

    - 栅极驱动电压范围广:FQB19N20的栅极驱动电压范围为±20伏,使其能够适应不同的驱动电压需求,提高了电路设计的灵活性和兼容性。

    综上所述,FQB19N20凭借其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压、快速开关速度以及广泛的栅极驱动电压范围,成为各种高效能电子设备和电路设计中的理想选择。其在开关电源、电机驱动、DC-DC转换器、逆变器和汽车电子等领域的广泛应用,展示了其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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