PD最大耗散功率:79WID最大漏源电流:-17AV(BR)DSS漏源击穿电压:-60VRDS(ON)Ω内阻:0.12ΩVRDS(ON)ld通态电流:-8.5AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理:FQB17P06在电源管理系统中扮演着关键角色,尤其适用于DC-DC转换器和负载开关。它的低导通电阻和高开关速度使其在高效能和低损耗的电源转换中表现优异。
2. 电动汽车:电动汽车的电池管理系统需要高效能和可靠的开关器件。FQB17P06因其出色的电流处理能力和低开关损耗,常用于电动汽车的电池管理模块,帮助提升整体系统的效率和可靠性。
3. 通信设备:在通信设备中,FQB17P06常被用于RF(射频)放大器和调制解调器等关键组件。其优良的频率响应和低噪声特性确保了通信设备的高性能和稳定性。
4. 工业控制:工业控制系统通常需要处理高电流和高电压,FQB17P06的高电压耐受能力和高效率使其成为电机驱动器和可编程逻辑控制器(PLC)等设备中的理想选择。
5. 消费电子:在消费电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,FQB17P06被广泛用于电源管理和电池保护电路,确保设备的安全和长寿命。
二、参数特点:
- 低导通电阻:FQB17P06的典型导通电阻仅为0.06欧姆,这意味着在导通状态下损耗极低,有助于提高整体电路效率并减少热量产生。
- 高电流处理能力:FQB17P06能够处理高达17安培的连续漏极电流(ID),使其适用于需要高电流驱动的应用场景,如电动工具和大功率LED驱动器。
- 高电压耐受:该MOSFET的最大漏源电压(VDS)为60伏,能够在中高压应用中可靠工作,提供了更大的设计灵活性和应用范围。
- 快速开关速度:FQB17P06具有出色的开关特性,栅极电荷(Qg)仅为45纳库仑,使其能够在高频率应用中快速切换,减少开关损耗,提高系统效率。
- 热性能优越:FQB17P06采用了先进的封装技术,具有低热阻(RθJC),有效散热性能优越,确保在高功率应用中维持较低的结温,提高了器件的可靠性和使用寿命。
综上所述,FQB17P06作为一种性能优异的P沟道功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流处理能力、高电压耐受、快速开关速度和优越的热性能,在电源管理、电动汽车、通信设备、工业控制和消费电子等多个领域得到了广泛应用。其出色的电气参数和可靠的性能,使其成为现代电子设计中不可或缺的关键元件。
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