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场效应MOS管FQB16N25TM参数

PD最大耗散功率:142WID最大漏源电流:16AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.23ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB16N25TM是一款由Fairchild Semiconductor公司(现为ON Semiconductor)生产的场效应晶体管(MOSFET),其广泛应用于电源管理系统、逆变器、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。以下将详细介绍FQB16N25TM的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQB16N25TM常用于高效电源管理系统中,如开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。其高效的开关特性和低导通电阻(RDS(on))确保了电源管理系统的稳定性和高效能。

    2. 逆变器:在逆变器应用中,FQB16N25TM由于其高电压和高电流处理能力,被广泛用于太阳能逆变器和风能逆变器中。其高效的转换能力和出色的热管理性能使其能够在严苛的环境中工作。

    3. DC-DC转换器:FQB16N25TM是DC-DC转换器中的关键组件,特别是在需要高效率和高可靠性的应用中。其快速的开关速度和低能量损耗确保了转换器的高性能。

    4. 电机驱动:在电机驱动应用中,FQB16N25TM能够提供高效率和稳定的电流控制,适用于各种工业和消费类电机驱动器。其高频操作能力使其在高动态响应需求的场景下表现出色。

    5. 电池管理系统:FQB16N25TM也被用于电池管理系统中,以确保电池的高效充电和放电过程。其高可靠性和耐用性使其成为电动汽车和储能系统的理想选择。

    二、参数特点:

    - 高电压处理能力:FQB16N25TM的最大漏极-源极电压(VDS)为250V,能够处理较高电压,这使其在高压应用中表现优异。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(RDS(on))为0.16Ω(在VGS=10V时),这意味着在开关过程中能量损耗较低,从而提高了系统的整体效率。

    - 高电流处理能力:FQB16N25TM的最大连续漏极电流(ID)为16A,能够处理较高的电流需求,适用于大功率应用场景。

    - 快速开关速度:由于其设计和材料特性,FQB16N25TM具有快速的开关速度(如开通时间和关断时间分别为22ns和130ns),这使其在高频应用中表现出色,减少了开关损耗。

    - 出色的热管理性能:FQB16N25TM的热阻(RθJC)为0.83°C/W,确保了其在高功率操作时能够有效散热,延长了器件寿命并提高了系统的可靠性。

    综上所述,FQB16N25TM凭借其高电压处理能力、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度以及出色的热管理性能,成为电源管理系统、逆变器、DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统等多个领域的理想选择。其优异的性能和可靠性为各类高要求的应用提供了强有力的支持。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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