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场效应MOS管FQB14N30TM参数

PD最大耗散功率:147WID最大漏源电流:14.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:300VRDS(ON)Ω内阻:0.29ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB14N30TM是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET,其广泛应用于各种电源管理和转换电路中。以下将详细介绍FQB14N30TM的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:FQB14N30TM常用于DC-DC转换器和AC-DC电源中,作为高效的开关元件。其高耐压和低导通电阻特点,使其在高频开关中能够有效减少功率损耗,提高转换效率。

    2. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩的设计中,FQB14N30TM被用作主开关器件,帮助控制大电流的充放电过程。其高电流承载能力和快速开关性能,确保了充电过程的高效和安全。

    3. 太阳能逆变器:FQB14N30TM在太阳能逆变器中也有广泛应用,负责将直流电转换为交流电。它的高可靠性和低功耗,使其在这种要求严苛的应用中表现出色。

    4. 电机驱动:在工业和家用电器的电机驱动控制电路中,FQB14N30TM作为关键开关元件,能够提供稳定的电流和电压控制,确保电机的平稳运行和高效能量使用。

    5. UPS系统:不间断电源(UPS)系统中也常见FQB14N30TM的身影。其高效的开关特性和耐高压能力,使其在电源切换和电流稳定方面表现优异。

    二、参数特点:

    - 耐压特性:FQB14N30TM具有高达300V的漏源耐压(Vds),这使得它在高压应用场景中表现出色,如电源转换和工业控制。

    - 导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))仅为0.14欧姆,低导通电阻保证了在导通状态下的低功率损耗,提高了整体系统的效率。

    - 电流能力:FQB14N30TM的最大连续漏极电流(Id)可达14A,这使其适用于需要大电流传输的应用场合,如电机驱动和大功率转换器。

    - 开关速度:该器件的开关速度非常快,典型的开关时间(tr和tf)分别为9.6ns和14ns。这一特点使其在高频应用中能够有效减少开关损耗,提高系统的效率。

    - 热特性:FQB14N30TM具有较好的热管理特性,最大结温(Tj)可达175°C,并且具有良好的热阻(Rθjc),确保在高功率和高温环境下的稳定工作。

    综上所述,FQB14N30TM凭借其高耐压、低导通电阻、高电流能力、快速开关速度以及优秀的热特性,在各种需要高效电源管理和转换的应用中,都能提供可靠的性能和高效的解决方案。这些特点使得FQB14N30TM成为许多工程师在设计电源管理电路时的优先选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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