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场效应MOS管FQB13N10L参数

PD最大耗散功率:65WID最大漏源电流:12.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.18ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB13N10L是一款N沟道功率MOSFET,其应用场景广泛,主要包括以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQB13N10L常用于各种电源管理应用中,如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和不间断电源(UPS)。其低导通电阻和高效的开关性能使其在高效能电源设计中大放异彩,能够有效降低能耗并提升整体系统的效率。

    2. 电机控制:在电机控制领域,FQB13N10L被广泛应用于电动机驱动器和控制器中。其出色的开关速度和低导通损耗,使其能够提供精准的电流控制和高效的功率传输,从而提高电机的响应速度和运行效率。

    3. 电池管理系统:FQB13N10L在电池管理系统(BMS)中也有着重要的应用,特别是在电动汽车和储能系统中。其高可靠性和高效能的电流处理能力,能够保证电池组在充放电过程中的稳定性和安全性,延长电池寿命并提升整体系统的性能。

    4. 负载开关:作为负载开关,FQB13N10L被应用于各种电子设备和工业控制系统中。其快速响应时间和低导通电阻,使其能够高效地管理和控制不同负载的接通与断开,从而优化系统的能耗和可靠性。

    5. 照明系统:在LED照明系统中,FQB13N10L可以用作开关元件,控制LED的亮度和开关状态。其低功耗和高效能开关特性,使其能够在不牺牲性能的前提下,提供更加节能和环保的照明解决方案。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FQB13N10L的导通电阻非常低,仅为0.13Ω,这意味着在大电流通过时,损耗会非常小,从而提高了整个电路的效率。这一特性在高效能电源管理和电动机控制应用中尤为重要。

    - 高击穿电压:FQB13N10L具有100V的高击穿电压,使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景。这一特性为设计人员提供了更大的灵活性和安全裕度。

    - 快速开关速度:FQB13N10L具有极快的开关速度,这使得它在高频开关电路中能够有效降低开关损耗,提高系统的整体效率。其快速的开关性能对于电源转换和高频电路设计尤为关键。

    - 高输入电容:FQB13N10L的输入电容为1450pF,这对于其在高频开关中的性能表现至关重要。高输入电容可以保证在高频操作下的稳定性和可靠性,避免了高频信号的损失。

    - 低栅极电荷:FQB13N10L的栅极电荷仅为32nC,这意味着它需要较低的驱动电流即可完全开启和关闭。低栅极电荷特性不仅有助于降低驱动电路的功耗,还提高了开关速度和效率。

    通过以上对FQB13N10L的应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出这款N沟道功率MOSFET在各种高效能和高可靠性的电子应用中都具有重要的地位和优势。无论是在电源管理、电机控制还是电池管理系统中,FQB13N10L都能提供优越的性能和可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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