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场效应MOS管FQB12N50参数

PD最大耗散功率:179WID最大漏源电流:12.1AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.49ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.05AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB12N50是市场上广泛应用的N沟道功率MOSFET,以其优异的性能和广泛的应用场景而著称。在许多电子设备和电源系统中,我们经常可以看到FQB12N50的身影。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQB12N50在电源管理系统中被广泛使用,尤其是在开关电源和直流-直流转换器中。由于其高击穿电压和低导通电阻,这款MOSFET能够在高效率和高功率密度的电源设计中发挥关键作用。

    2. 电机控制:在电机控制领域,FQB12N50常用于驱动电机和控制电流。其高电流处理能力和快速开关特性使其成为电机驱动电路的理想选择,能够提高系统的整体性能和响应速度。

    3. 照明系统:LED照明系统也大量使用FQB12N50,特别是在大功率LED驱动电路中。这款MOSFET能够有效控制LED的电流,确保照明系统的稳定性和寿命,同时降低能耗。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FQB12N50被用于逆变器和电池管理模块。其高效率和高可靠性保证了不间断电源在各种紧急情况下能够提供稳定的电力供应。

    5. 太阳能逆变器:FQB12N50还在太阳能逆变器中扮演重要角色,通过将直流电转换为交流电,为家庭和工业应用提供清洁能源。其高效的开关能力和低损耗特点有助于提高整个太阳能系统的效率。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:FQB12N50的击穿电压高达500V,这使其能够在高压应用中保持可靠性和稳定性。高击穿电压使得这款MOSFET在许多高压环境中都能安心使用。

    - 低导通电阻:这款MOSFET的导通电阻(RDS(on))非常低,仅为0.6Ω,这意味着在导通状态下电流通过时的能量损失较小,从而提高了整体电路的效率。

    - 高脉冲电流能力:FQB12N50能够处理高达48A的脉冲电流,这对于应对瞬时高电流需求的应用场景非常重要,确保了系统的可靠性和安全性。

    - 快速开关速度:FQB12N50的开关速度非常快,开关时间通常在几十纳秒级别。这种快速响应能力使其在高频开关电路中表现出色,减少了开关损耗,提高了电路的效率。

    - 高温稳定性:FQB12N50具备良好的高温稳定性,能够在较高的结温下(最高可达150°C)稳定运行。这种特性使其适用于各种恶劣环境下的应用,确保了设备的长时间可靠运行。

    通过以上详细的介绍,可以看出FQB12N50在多个应用场景中都有着不可替代的重要作用,并且其优秀的参数特点使其成为高效、高可靠性的代名词。这款MOSFET不仅性能卓越,还能适应各种复杂环境,满足不同应用需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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