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场效应MOS管FQB10N20参数

PD最大耗散功率:87WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.36ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB10N20是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电力控制领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQB10N20作为高效开关元件,能够在高频率下工作,确保电源的高效率和稳定性。它的快速开关能力和低导通电阻使其非常适合高效能量转换。

    2. 电机驱动:FQB10N20在电机控制系统中常用于驱动电路。由于其高电流承载能力和出色的热性能,能够有效地控制电机的启动、停止和速度调节,广泛应用于电动工具、家用电器和工业设备中。

    3. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和动力传动系统中,FQB10N20被用来控制电流的流动。它的高电压耐受能力和低导通电阻特性,使其能够在高功率应用中提供可靠的性能。

    4. 逆变器:在光伏和风能系统中,FQB10N20作为逆变器的关键元件,能够将直流电转换为交流电。其高效率和可靠性保证了逆变器的长时间稳定运行。

    5. 消费电子:在各种消费电子产品中,如电视、音响和计算机电源中,FQB10N20被广泛用于电源管理和电流控制,其小体积和高效能量管理特点,使其成为设计师的首选。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:FQB10N20具有200V的漏源极最大耐压,这使其适用于高压应用环境中,不易受到电压击穿的影响。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(R_DS(on))仅为0.34Ω,确保了在高电流下的低功耗和高效率。这一特点在开关电源和电机驱动中尤为重要。

    - 高电流承载能力:FQB10N20的最大连续漏极电流为10A,能够承受较大的电流负载,非常适合需要高电流控制的应用。

    - 快速开关速度:其开关速度快,能够在短时间内完成开关操作,这对于高频率的开关应用,如DC-DC转换器和逆变器,非常关键。

    - 出色的热性能:FQB10N20拥有良好的热阻特性,能够在高温环境下稳定工作。其典型的结到环境热阻为62.5°C/W,这有助于减少热管理设计的复杂性。

    综上所述,FQB10N20是一款高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其高耐压、低导通电阻、高电流承载能力、快速开关速度和出色的热性能,广泛应用于开关电源、电机驱动、电动汽车、逆变器和消费电子等领域。其多样化的应用场景和优异的参数特点使其在现代电子和电力控制系统中不可或缺。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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