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场效应MOS管FQA9N50参数

PD最大耗散功率:160WID最大漏源电流:9.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.73ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQA9N50是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍FQA9N50的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQA9N50在开关电源(SMPS)中扮演着关键角色。由于其低导通电阻和高开关速度,能够显著提高开关电源的效率,减少能量损耗,适用于各种AC-DC和DC-DC转换器。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,FQA9N50由于其高耐压和高电流处理能力,被广泛用于工业电机和家用电器的电机驱动电路中。它能提供稳定的电流输出,保证电机运行的可靠性和稳定性。

    3. 照明设备:LED照明系统中,经常使用FQA9N50来实现高效的电能转换。它的高开关频率和低导通损耗使其非常适合用于LED驱动电路中,能提高系统整体效率,并延长LED灯具的使用寿命。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FQA9N50被用于逆变器模块中。其高耐压和高效开关特性,使其能够在高压、高频环境下稳定工作,从而提高太阳能系统的能量转换效率。

    5. 电池管理系统:FQA9N50也被用于电动汽车和储能系统的电池管理系统中。它能有效管理电池的充放电过程,确保电池的安全性和使用寿命。

    二、参数特点:

    - 最大漏极-源极电压(VDSS):FQA9N50的最大漏极-源极电压为500V。这一高耐压参数使其能够在高电压应用中安全运行,适用于需要高电压耐受能力的电力电子设备中。

    - 导通电阻(RDS(on)):在10V的栅极电压下,FQA9N50的最大导通电阻为0.75Ω。较低的导通电阻意味着其在导通状态下的能量损耗较低,能够提高电路的整体效率。

    - 漏极电流(ID):FQA9N50的连续漏极电流最大值为9A,峰值电流可达36A。这一电流处理能力使其能够应对高电流需求的应用,如电机驱动和电源管理。

    - 开关速度:FQA9N50具有快速的开关速度,典型的开关时间为几十纳秒。这一特点使其非常适合高频开关应用,如开关电源和逆变器。

    - 栅极电荷(Qg):FQA9N50的总栅极电荷典型值为45nC,较低的栅极电荷使其能够快速响应栅极电压的变化,从而提高开关速度并减少开关损耗。

    综上所述,FQA9N50凭借其高耐压、低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度,成为各种高效能电力电子设备中的理想选择。无论是在开关电源、电机驱动、LED照明、太阳能逆变器,还是电池管理系统中,FQA9N50都能发挥其优越性能,提供稳定可靠的电力支持。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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