收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FQA8N90C参数

场效应MOS管FQA8N90C参数

PD最大耗散功率:240WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:1.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FQA8N90C是一款由Fairchild Semiconductor生产的高电压MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。其主要应用场景包括但不限于:

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FQA8N90C在现代电子设备中,开关电源是提供稳定电压和电流的重要组件。FQA8N90C由于其高击穿电压和低导通电阻,非常适合用于高效、高可靠性的开关电源设计。

    2. 照明设备:FQA8N90C常用于高效LED驱动器和HID灯的电路设计。其高电压特性确保了在各种照明应用中能够提供稳定和高效的电力转换。

    3. 工业控制系统:在工业自动化和控制系统中,FQA8N90C可以作为高压驱动器和开关元件,用于控制大功率设备和电机驱动,提升系统的整体效率和可靠性。

    4. 电动汽车:电动汽车的电池管理系统和电机控制单元中也可以找到FQA8N90C的应用。其高效率和高可靠性对于电动汽车的性能优化具有重要作用。

    5. 电源逆变器:在光伏逆变器和不间断电源(UPS)系统中,FQA8N90C能够提供高效的电力转换和稳定的输出性能,确保设备在各种工况下的可靠运行。

    二、参数特点:

    - 击穿电压(Vds):FQA8N90C具有900V的高击穿电压,这使其能够在高压环境中稳定工作,适合各种高压应用。

    - 导通电阻(Rds(on)):在25℃时,FQA8N90C的导通电阻仅为0.75Ω,这意味着在开关状态下具有较低的功耗,提高了整个系统的效率。

    - 最大漏极电流(Id):FQA8N90C的最大漏极电流为8A,这允许其在需要高电流的应用中工作,如电动汽车和工业控制系统。

    - 栅极电荷(Qg):FQA8N90C的总栅极电荷为85nC,这使得其在高频开关应用中具有较快的响应速度,有助于提高转换效率。

    - 封装类型:FQA8N90C采用TO-3PN封装,这种封装形式不仅有助于散热,还能确保其在高功率应用中的可靠性和耐用性。

    通过对FQA8N90C的应用场景和参数特点的详细描述,可以看出这款高电压MOSFET在各类高压、高效应用中具有广泛的适用性和显著的性能优势。其高击穿电压、低导通电阻以及其他优越的电气特性,使得FQA8N90C成为许多电子设计工程师的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号