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场效应MOS管FQA8N100C参数

PD最大耗散功率:225WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:1000VRDS(ON)Ω内阻:1.45ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQA8N100C是一种高性能N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种高压开关和功率控制电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQA8N100C常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,能够高效地管理电能转换和调节,保证系统稳定性和能效。

    2. 照明控制:在LED驱动电路中,FQA8N100C可以用来实现恒流驱动,提升LED灯的亮度调节精度和可靠性。

    3. 电机驱动:该器件在电机驱动器中应用广泛,特别是在需要高效控制和快速开关的场合,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制中。

    4. 逆变器:在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中,FQA8N100C能够提供高效的电能转换,减少能量损耗。

    5. 工业自动化:工业设备和自动化系统中,FQA8N100C可用于控制高功率设备,提升系统的响应速度和控制精度。

    二、参数特点:

    - 高耐压:FQA8N100C的漏源击穿电压(BVDSS)高达1000V,适合高压应用场景,能够承受较大的电压应力。

    - 低导通电阻:其导通电阻(RDS(on))非常低,典型值为0.75Ω,有助于减少导通损耗,提高效率。

    - 高电流能力:FQA8N100C的连续漏极电流(ID)为8A,峰值电流可达32A,适合高电流需求的应用。

    - 快速开关速度:该器件的开关速度快,具有较小的开关损耗,能够在高频应用中表现出色,提升系统效率。

    - 热特性优越:FQA8N100C具有良好的热性能,最大结温(Tj)可达150°C,保证了在高温环境下的可靠运行。

    综上所述,FQA8N100C的这些参数特点,使其在各类需要高效能、高可靠性的电力电子应用中表现出色。无论是在开关电源、照明控制还是工业自动化领域,FQA8N100C都能够提供稳定的性能和卓越的效率,成为工程师们的优选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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