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场效应MOS管FQA55N25参数

PD最大耗散功率:310WID最大漏源电流:34.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.04ΩVRDS(ON)ld通态电流:27.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQA55N25是一种N沟道功率MOSFET,其在电子电路中具有广泛的应用场景。本文将详细介绍FQA55N25的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:FQA55N25常用于各种电源转换器中,例如DC-DC转换器、AC-DC转换器等。其高效率和高开关速度使其成为这些应用中的理想选择。

    2. 电动机驱动器:在电动机控制和驱动系统中,FQA55N25被广泛应用于无刷直流电机(BLDC)驱动器和步进电机驱动器中。其高电流处理能力和低导通电阻有助于提高系统的效率和性能。

    3. 逆变器:FQA55N25在逆变器应用中也很常见,尤其是在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中。它的高电压和电流能力可以满足这些系统的需求。

    4. 音频放大器:由于其低噪声和高线性度,FQA55N25也适用于高保真音频放大器。它可以有效地提高音频系统的信号质量和性能。

    5. 汽车电子:在汽车电子领域,FQA55N25被用作电池管理系统(BMS)和电动汽车(EV)中的关键组件。其高可靠性和高效能使其在这一领域中得到广泛应用。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(VDSS):FQA55N25的最大漏源电压为55V,这使其适合用于中低压应用。

    - 最大导通电流(ID):它的最大导通电流为55A,这意味着FQA55N25能够处理较大的电流负载,适用于高电流需求的电路设计。

    - 导通电阻(RDS(on)):FQA55N25的典型导通电阻为0.018Ω,这一低阻值有助于减少导通损耗,提高电路的效率。

    - 门极阈值电压(VGS(th)):FQA55N25的门极阈值电压范围为2V到4V,这意味着它在较低的门极驱动电压下就能开启,适合低电压控制系统。

    - 开关速度:该器件具有较快的开关速度,典型的上升时间和下降时间分别为18ns和10ns。这一特点使FQA55N25适用于高频开关应用,例如开关电源和逆变器。

    综上所述,FQA55N25凭借其优异的参数特点和广泛的应用场景,在电子电路设计中发挥着重要作用。无论是电源转换、电动机驱动、逆变器、音频放大还是汽车电子,FQA55N25都能够提供可靠和高效的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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