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场效应MOS管FQA44N10参数

PD最大耗散功率:180WID最大漏源电流:48AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.039ΩVRDS(ON)ld通态电流:24AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQA44N10是一款N沟道MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等领域。下面将详细介绍FQA44N10的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQA44N10在电源管理系统中扮演重要角色。其高电流承载能力和低导通电阻,使其能够有效地控制大电流,通过开关动作实现高效能量转换。这使得它在服务器、数据中心和工业电源等高要求场景下尤为重要。

    2. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,FQA44N10能够提供快速的开关速度和高效率转换。这对提高电路效率和减少能量损耗至关重要,特别是在需要稳定输出的便携式电子设备和嵌入式系统中。

    3. 逆变器:FQA44N10常用于逆变器中,将直流电转换为交流电。其高开关速度和高效率,使其能够在太阳能发电系统、UPS(不间断电源)和家用电器中实现高效的电能转换。

    4. 电机驱动:在电机驱动应用中,FQA44N10凭借其优异的开关性能和高耐压能力,可以提供高效的电流控制,适用于各种电动工具、家用电器和工业自动化设备。

    5. 开关电源:FQA44N10在开关电源中,通过高频率的开关动作,可以有效地调节输出电压和电流,适应不同负载需求。这使其成为计算机电源、通信设备电源和消费电子产品中的理想选择。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FQA44N10的导通电阻典型值仅为7.7毫欧(在10V Vgs时),这意味着其在导通状态下具有极低的电阻,从而减少了导通损耗,提高了整体系统的效率。

    - 高电流承载能力:FQA44N10能够承载高达44安培的连续漏极电流(Tc=25°C),这使其能够处理高电流应用,满足高功率设备的需求。

    - 高击穿电压:其漏源击穿电压为100V,确保了在高电压应用中的可靠性和安全性,使其能够在更宽的电压范围内工作。

    - 快速开关性能:FQA44N10具有较快的开关速度,这不仅有助于提高转换效率,还能减少开关损耗,使其适用于高频应用场景。

    - 热性能优越:FQA44N10的热阻(结到壳)仅为0.75°C/W,这意味着其在高功率应用中具有良好的散热性能,能够有效地管理热量,防止过热损坏。

    通过上述详细分析,可以看出,FQA44N10凭借其卓越的电气性能和广泛的应用场景,成为电力电子设计中的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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