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场效应MOS管FQA40N25C参数

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    FQA40N25C是一种常用的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和转换设备中。本文将详细介绍FQA40N25C的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQA40N25C被用于主开关元件。其高效率和低损耗的特点使其成为大功率、高频开关电源的理想选择。由于其出色的导通电阻和开关性能,FQA40N25C能够有效地提高电源的整体效率。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和电动驱动系统中,FQA40N25C扮演着重要角色。其高电流承载能力和低导通电阻有助于减少系统的功率损耗,提高电动汽车的续航里程和性能。

    3. 太阳能逆变器:太阳能逆变器需要高效的能量转换,FQA40N25C在此领域的应用得益于其高效率和可靠的性能表现。它能够在高频率下工作,同时保持低损耗,使其成为逆变器中的关键组件。

    4. UPS不间断电源:在UPS系统中,FQA40N25C用于电池转换和电源调节。其快速开关能力和低导通电阻确保了电源转换过程中的高效率和稳定性,保障了UPS系统的可靠性。

    5. 工业控制系统:在工业自动化和控制系统中,FQA40N25C用于驱动电机和控制各种大功率设备。其优越的电气性能和耐用性使其在工业应用中表现突出,能够应对严苛的工作环境。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FQA40N25C的RDS(on)值非常低,在25V时典型值为40mΩ。这意味着在导通状态下,它的功率损耗较小,有助于提高整体系统的效率。

    - 高电流承载能力:FQA40N25C的最大连续漏极电流(ID)高达40A,能够承受较大的电流负载。这使其适用于高功率应用,如电动汽车和工业设备。

    - 高击穿电压:该器件的最大漏源极击穿电压(VDSS)为250V,能够在高压环境下稳定工作,适用于需要高耐压特性的应用场景。

    - 快速开关速度:FQA40N25C具有较快的开关速度,典型值为45ns的上升时间(tr)和150ns的下降时间(tf),适合高频开关应用,能够有效减少开关损耗。

    - 低栅极电荷:该器件的总栅极电荷(Qg)典型值为110nC,低栅极电荷使得驱动该MOSFET所需的能量较少,进一步提高了开关效率和系统性能。

    综上所述,FQA40N25C凭借其低导通电阻、高电流承载能力、高击穿电压、快速开关速度和低栅极电荷的特点,成为各种高效率电源管理和转换设备中的理想选择。这些优异的参数特点使其在开关电源、电动汽车、太阳能逆变器、UPS不间断电源和工业控制系统中得到了广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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