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场效应MOS管FQA34N20参数

PD最大耗散功率:210WID最大漏源电流:34AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.075ΩVRDS(ON)ld通态电流:17AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQA34N20是一款N沟道增强型场效应管,广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQA34N20常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,发挥重要的开关作用。其低导通电阻和快速开关速度使其成为电源转换电路中高效且可靠的选择。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,FQA34N20能够有效控制电机的启停和速度。由于其高电流承载能力和低导通电阻,它能够提供稳定的驱动电流,确保电机的平稳运行。

    3. 不间断电源(UPS):FQA34N20在UPS系统中用于电池管理和电源切换。它能够快速响应电源故障,确保设备在断电情况下仍能正常工作。

    4. 音频放大器:在高保真音频放大器中,FQA34N20可以作为输出级的开关元件,提供高效率的电流转换,从而提升音频信号的质量和放大器的整体性能。

    5. 太阳能逆变器:FQA34N20在太阳能逆变器中,用于将直流电转换为交流电。其高效的开关特性和耐用性使其在太阳能发电系统中得到了广泛应用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FQA34N20的典型导通电阻仅为34毫欧(mΩ),这意味着它在导通状态下的功耗非常低,有助于提高电路的整体效率。

    - 高电流承载能力:该器件的最大连续漏极电流(ID)为20安培(A),这使得FQA34N20能够在高电流应用中稳定工作,适用于大功率设备的控制和驱动。

    - 高击穿电压:FQA34N20的漏源击穿电压(VDSS)为200伏(V),这一特性使其适用于需要高电压操作的应用场景,如工业控制和电源转换。

    - 快速开关速度:FQA34N20具有较低的栅极电荷(Qg),使其开关速度非常快。这一特性在需要快速开关的电路中,如开关电源和DC-DC转换器中,显得尤为重要。

    - 热管理性能:FQA34N20具备良好的热性能,其结温范围从-55°C到+150°C。加之良好的热导率和封装设计,它能够在高温环境中稳定运行,减少过热风险。

    综上所述,FQA34N20凭借其低导通电阻、高电流承载能力、高击穿电压、快速开关速度和优异的热管理性能,成为许多高效能电子电路中的理想选择。这些参数特点使其在各种应用场景中,能够提供高效、稳定的性能表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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