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场效应MOS管FQA33N10参数

PD最大耗散功率:163WID最大漏源电流:36AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.052ΩVRDS(ON)ld通态电流:18AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQA33N10是一种N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。以下将详细介绍FQA33N10的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQA33N10常用于电源管理电路中,尤其是开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)。它的高效开关特性和低损耗使其在这些应用中能够提高整体效率并减少热量产生。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、电锯等中,FQA33N10作为开关元件,可以提供高效、稳定的电流控制。这对于需要大电流的设备来说尤为重要。

    3. 汽车电子:FQA33N10在汽车电子系统中应用广泛,包括电机驱动、电池管理系统等。它能够在高温、高压环境下稳定工作,确保汽车电子系统的可靠性和安全性。

    4. 工业控制:工业自动化设备和控制系统中,FQA33N10常用于驱动电机、控制阀门等应用。其高开关频率和低导通电阻特性,使其在高效能和精确控制方面表现出色。

    5. 照明控制:在LED照明控制电路中,FQA33N10作为开关元件,可以实现高效的电能转换和稳定的亮度控制,有助于延长LED灯具的使用寿命和提高能效。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FQA33N10的导通电阻(RDS(on))典型值仅为0.026欧姆,这使得其在导通状态下能够有效降低功耗,减少发热。

    - 高电流承载能力:FQA33N10的最大连续漏极电流(ID)为33A,这意味着它能够承载较大的电流,适用于高功率应用场景。

    - 高压特性:FQA33N10的漏源电压(VDS)最大值为100V,使其能够在较高电压环境下稳定工作,适合需要高电压转换的应用。

    - 快速开关速度:FQA33N10的开关时间(包括上升时间和下降时间)非常短,这使得它在高频开关电路中表现优异,能够实现高效的电能转换。

    - 低栅极电荷:FQA33N10的栅极电荷(Qg)较低,仅为63nC,这使得驱动它所需的能量较少,有助于提高整个系统的效率和响应速度。

    综上所述,FQA33N10在各种高效能和高功率应用中都表现出色,是一种性能优越的N沟道MOSFET。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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