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场效应MOS管FQA19N20L参数

PD最大耗散功率:190WID最大漏源电流:25AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.14ΩVRDS(ON)ld通态电流:12.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQA19N20L是一种N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻和高电流能力,广泛应用于多种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQA19N20L常用于开关电源和DC-DC转换器中,能够有效地控制电流的开关状态,提高能效并降低损耗。

    2. 电机驱动器:在电机控制系统中,FQA19N20L可以作为高效的开关器件,用于驱动直流电机和无刷电机,提供快速响应和高效能量转换。

    3. 音频放大器:FQA19N20L由于其低失真和高线性度的特点,常用于高保真音频放大器中,提供清晰和高质量的音频输出。

    4. 逆变器和转换器:在太阳能和风能等可再生能源系统中,FQA19N20L被广泛用于逆变器和转换器,用于将直流电转换为交流电,或进行不同电压等级的转换。

    5. 工业自动化:FQA19N20L在工业控制和自动化设备中用作功率开关,能够高效控制大型设备的运行和能耗,适应恶劣的工业环境。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FQA19N20L的导通电阻低至0.055欧姆,确保了在大电流通过时的功率损耗降至最低,提高了整体系统的效率。

    - 高电流能力:FQA19N20L最大可处理19安培的连续漏极电流,适合高电流应用,确保在高负载条件下的稳定运行。

    - 高耐压能力:FQA19N20L的最大漏源电压为200伏,使其能够在高电压环境中可靠运行,适用于电源管理和逆变器等高压应用。

    - 快速开关速度:FQA19N20L具备快速的开关速度,能够在高频率下高效工作,减少开关损耗,提升系统的工作频率和效率。

    - 低栅极电荷(Qg):FQA19N20L的总栅极电荷仅为67纳库伦,减少了驱动功率需求,有利于提升开关速度和降低功耗。

    通过以上参数特点和应用场景的详细分析,可以看出FQA19N20L在多种高效能和高可靠性要求的电子设备中都有广泛的应用,其优秀的性能参数使其在各种复杂应用环境中都能表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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