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场效应MOS管FQA19N20C参数

PD最大耗散功率:180WID最大漏源电流:21.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.17ΩVRDS(ON)ld通态电流:10.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQA19N20C是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FQA19N20C在开关电源中常用于主开关管。由于其低导通电阻和快速开关速度,可以提高电源的效率并减少热量产生。

    2. 电机控制:FQA19N20C在电机控制电路中用于驱动电机。其高电流处理能力和耐高压特性,使其能够稳定地控制电机的启停和速度调节。

    3. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,FQA19N20C用作主功率开关器件。其高效能和低损耗特性,有助于实现高效的电能转换,适用于需要严格电能管理的应用。

    4. 逆变器:FQA19N20C在光伏逆变器和风能逆变器中也有应用。其耐高压和高可靠性特性,使其在处理大功率逆变时表现出色。

    5. 音频放大器:在高功率音频放大器中,FQA19N20C可用作输出级功率放大器。其低失真和高输出功率,能提供优质的音频性能。

    二、参数特点:

    - 耐压特性:FQA19N20C的漏源极耐压(Vds)为200V,使其能够在高压应用中安全运行。这一特性特别适用于需要处理高电压的电源和电机控制应用。

    - 导通电阻:FQA19N20C的导通电阻(Rds(on))非常低,典型值为0.075Ω。这有助于减少开关损耗,提高电路的整体效率,并减少发热量。

    - 电流处理能力:FQA19N20C的连续漏极电流(Id)可以达到19A,这意味着它能够处理较大的电流,适合用于大功率应用,如电机驱动和大功率逆变器。

    - 开关速度:FQA19N20C具有快速的开关速度,能够在高频应用中表现出色。这一特点对于开关电源和DC-DC转换器等应用非常重要,有助于提高效率并减少开关损耗。

    - 栅极电荷:FQA19N20C的栅极电荷(Qg)较低,典型值为57nC。这意味着其在开关过程中需要较少的驱动能量,有助于降低驱动电路的功耗,并提高系统的整体效率。

    综上所述,FQA19N20C以其优异的耐压特性、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和低栅极电荷等参数特点,成为多种高效能电子设备的理想选择。这些特性使FQA19N20C在开关电源、电机控制、DC-DC转换器、逆变器和音频放大器等应用中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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