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场效应MOS管FQA18N50V2参数

PD最大耗散功率:277WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.265ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQA18N50V2是一款高效能的功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和转换电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,FQA18N50V2常用作主要开关元件。它的高效率和快速开关特性使其能够显著提高电源的整体性能,降低能量损耗。

    2. 电机驱动:FQA18N50V2也被用于电机驱动电路中。其高耐压和高电流能力使其非常适合驱动直流电机和无刷电机,在工业自动化和家电领域都有广泛应用。

    3. 逆变器:在逆变器电路中,FQA18N50V2被用来将直流电转换为交流电。其高效能和稳定性确保了逆变器的可靠运行,特别是在太阳能发电和不间断电源(UPS)系统中。

    4. 电池管理系统(BMS):FQA18N50V2还可以应用于电池管理系统中,负责控制电池的充放电过程,确保电池的安全和延长其使用寿命。

    5. 音频放大器:在高功率音频放大器中,FQA18N50V2的高电流处理能力和低导通电阻使其成为理想的输出级元件,能够提供清晰、强劲的音频输出。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:FQA18N50V2具有500V的漏源耐压(Vds),能够在高电压环境下稳定工作,适用于需要高耐压的应用场合。

    - 低导通电阻:其导通电阻(Rds(on))非常低,仅为0.18Ω。这意味着在开通过程中损耗较小,提高了整体电路的效率。

    - 高开关速度:FQA18N50V2具有非常快的开关速度,典型的开关时间在几十纳秒级别。这使其在高频开关电源和逆变器应用中能有效减少开关损耗。

    - 高电流能力:FQA18N50V2的最大连续漏极电流(Id)可达18A,能够处理较大的电流负载,适合用于大功率驱动和转换电路。

    - 热性能优越:FQA18N50V2的热阻(RθJC)较低,仅为1.0°C/W,这有助于更有效地散热,确保器件在高功率条件下长期稳定运行。

    综上所述,FQA18N50V2是一款高效能、高可靠性的功率MOSFET,广泛应用于各类电源和电力电子设备中。其卓越的电气性能和优越的热管理特性使其成为许多高性能电路设计中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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