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场效应MOS管FQA170N06参数

PD最大耗散功率:375WID最大漏源电流:170AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.0056ΩVRDS(ON)ld通态电流:85AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQA170N06是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FQA170N06在开关电源中被用作开关器件,能够在高频率下高效地进行开关转换,提高电源的效率并减少热量产生。其低导通电阻和快速开关特性使其在这类应用中表现出色。

    2. 电机驱动:FQA170N06常用于电机驱动电路,尤其是在需要高电流和高效率的应用中。它能够提供强大的驱动能力和优良的散热性能,确保电机的平稳运行和长时间可靠工作。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FQA170N06用于逆变器和整流电路,帮助实现高效的电力转换和稳定的电源输出。其高击穿电压和低导通电阻是实现高效能量转换的关键因素。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FQA170N06被用作逆变器的核心组件之一,负责将直流电转换为交流电,供家庭或工业使用。其高效的开关特性和耐高压能力有助于提升系统的整体效率。

    5. 电动汽车(EV):在电动汽车的动力管理系统中,FQA170N06被用于电池管理系统和电动机控制器,确保电池能量的高效利用和电动机的稳定运行。其高效能和可靠性是实现车辆长续航和高性能的保障。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):FQA170N06的典型导通电阻非常低,为170毫欧姆,这意味着在导通状态下的电流损耗极小,有助于提高整个电路的效率。

    - 击穿电压(VDSS):该器件的最大漏源极击穿电压为60V,使其能够在较高电压下可靠工作,适用于多种高压应用场景。

    - 栅极电荷(Qg):FQA170N06的总栅极电荷为120纳库伦(nC),这表明其在开关过程中所需的能量较低,有助于实现快速开关和降低驱动损耗。

    - 最大漏极电流(ID):其最大连续漏极电流为170A,允许其在高电流应用中提供强大的驱动能力,满足高功率需求。

    - 工作温度范围:FQA170N06能够在-55°C至+175°C的宽温度范围内可靠工作,确保其在各种严苛环境下仍能保持稳定性能。

    通过这些详细的参数特点描述,可以看出FQA170N06在高效能、高可靠性和广泛应用方面具有显著优势,是现代电子设备中不可或缺的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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