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场效应MOS管FQA15N70参数

PD最大耗散功率:300WID最大漏源电流:15AV(BR)DSS漏源击穿电压:700VRDS(ON)Ω内阻:0.56ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQA15N70是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种高效能的电力转换系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQA15N70常用于开关电源中,特别是那些需要高效率和高功率密度的电源系统。它的低导通电阻和高击穿电压使其在高频开关模式下表现出色,有助于提高电源效率并减少热损耗。

    2. 逆变器:在逆变器应用中,FQA15N70由于其出色的开关特性和高耐压性,能够有效转换直流电为交流电,广泛应用于光伏逆变器和不间断电源(UPS)系统中,保证设备的稳定运行。

    3. 电动汽车充电器:随着电动汽车的普及,FQA15N70在高效充电器中的应用也越来越多。它能够在高功率传输中保持低能量损耗,确保充电器的高效工作和长时间的可靠性。

    4. 电机驱动器:在需要精确控制电机的应用中,FQA15N70凭借其高开关速度和低导通电阻,能够提供快速响应和高效的电力传输,常用于工业电机和家用电器的驱动系统。

    5. 音频放大器:FQA15N70还应用于高保真音频放大器中,其优异的线性度和低噪声特性能够提供纯净的音质输出,适用于高端音响系统。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:FQA15N70的最大漏源电压(Vds)高达700V,使其能够在高压环境下安全运行,适用于需要高耐压的电源管理系统。

    - 低导通电阻:该器件的导通电阻(Rds(on))非常低,典型值为0.48Ω,这意味着在大电流传输时,能量损耗较少,提高了系统的整体效率。

    - 快速开关速度:FQA15N70具有快速的开关特性,典型的上升时间和下降时间分别为30ns和22ns,有助于提高电力转换系统的频率响应和效率,减少开关损耗。

    - 高输入电容:其输入电容(Ciss)为2000pF,保证了在高频开关操作中的稳定性和效率,适用于高频电力转换应用。

    - 耐热性强:FQA15N70具有优异的热稳定性,其结温范围(Tj)可以达到-55°C至150°C,能够在恶劣的环境条件下稳定工作,确保长期的可靠性和耐用性。

    综上所述,FQA15N70凭借其高击穿电压、低导通电阻、快速开关速度、高输入电容和强耐热性,成为各类高效能电力转换系统的理想选择。这些参数特点使FQA15N70在实际应用中表现出色,广泛应用于开关电源、逆变器、电动汽车充电器、电机驱动器和音频放大器等领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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