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场效应MOS管FQA11N40参数

PD最大耗散功率:160WID最大漏源电流:11.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:0.48ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQA11N40是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FQA11N40常用于开关电源中的高效开关元件。它的低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于提高开关电源的效率和稳定性。

    2. 逆变器:在逆变器电路中,FQA11N40用于将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)中。其高耐压和高电流处理能力确保了逆变器的可靠运行。

    3. 电机驱动器:FQA11N40被用于电机驱动器电路中,控制电机的启动、停止和速度调节。其高效能和稳定性能使其适用于工业自动化和家用电器中的电机控制。

    4. 照明系统:在LED照明系统中,FQA11N40可用于驱动LED灯泡。它的高效能和低功耗特性有助于提高LED照明系统的整体效率。

    5. 汽车电子:FQA11N40在汽车电子中被广泛应用,包括汽车电池管理系统、电子控制单元(ECU)和电动汽车充电系统等。其高可靠性和耐用性满足了汽车电子对元件严格的性能要求。

    二、参数特点:

    1. 最大漏源电压(Vds):FQA11N40的最大漏源电压为400V,这意味着它能够承受高达400伏特的电压而不被击穿,非常适合高压应用场景。

    2. 最大漏极电流(Id):该器件的最大漏极电流为11A,表明它能够处理高达11安培的电流,适用于大电流应用,如电机驱动和电源转换。

    3. 导通电阻(Rds(on):FQA11N40的典型导通电阻为0.55Ω。这一低导通电阻有助于减少导通损耗,提高整体效率。

    4. 栅极电荷(Qg):栅极电荷是一个关键参数,影响MOSFET的开关速度。FQA11N40的栅极电荷较低,约为45nC,使其具有快速的开关性能。

    5. 工作温度范围:FQA11N40的工作温度范围为-55°C至+150°C,适应了宽广的工作环境温度,使其在各种极端环境下都能稳定工作。

    综上所述,FQA11N40以其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于多个领域,并且其参数特点使其在高效能和高可靠性需求的场合中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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